第3章12CMOS集成电路工艺流程.pptVIP

下载本文档

76
0
约小于1千字
约 14页
2017-01-01 发布于重庆
举报
版权申诉

第3章12CMOS集成电路工艺流程.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

CMOS工艺集成按阱的不同区分： P阱（P-Tub） N阱（N-Tub）双阱（Twin Tub） 3.12.2 典型的N阱CMOS工艺 CMOS集成电路一般采用(100)晶面的硅材料工艺基本流程与版图层次的对应关系,共需要7块掩模板。 CMOS反向器版图 1.形成N阱（1）初始氧化（2）淀积氮化硅层（3）光刻一，定义出N阱（4）反应离子刻蚀氮化硅层（5）N阱离子注入，注磷（6）退火（7）高温阱推进 2 有源区的确定和场氧化(LOCOS) N沟道和P沟道晶体管所在的区域称为有源区需首先在不同MOS管之间进行场氧。（1）淀积氮化硅层 (a)生成N阱后，去掉氧化层。 (b)重新生长一层薄的SiO2层，作为薄氮化硅层与硅之间的缓冲层。 (c)淀积一层薄氮化硅层，作为场氧氧化的掩膜。 (d)确定有源区，即n型晶体管和P型晶体管所在区域。（2）光刻二有源区光刻，将以后作为有源区的二氧化硅层和薄氮化硅层保留下来。（图a）（3）氧化层生长在没有氮化硅层保护的区域生长一层较厚的氧化层。(图b) 3 生长栅氧化层和生成多晶硅栅确定有源区后，开始制做MOS晶体管。（1）生长栅氧化层：（2）淀积多晶硅（3）光刻三：光刻多晶硅。 4 形成P沟MOS晶体管（1）光刻四： P沟MOS晶体管源漏区光刻。（2）P沟源漏区掺杂。 5 形成N沟MOS晶体管（1）光刻五： n沟MOS晶体管源漏区光刻。（2）n沟源漏区掺杂。 6 光刻引线接触孔（1）氧化（2）光刻六 7 光刻金属互连线蒸发或溅射工艺光刻7：互连线光刻 8 光刻钝化孔淀积一层钝化层 9 后工序加工（1）中间测试（2）划片（3）贴片（4）键合（5）封装（6）筛选（7）测试（8）老化 * * 3.12 CMOS制造工艺 N阱