第3章光谱仪器系统(免费阅读).pptVIP

第3章 光谱仪器系统 3.4 探测器 概述 3.4.1 热探测器 3.4.2 外光电效应探测器 3.4.3 内光电效应探测器 3.4.4 阵列式光电探测器 3.4.5 取样积分 3.4.6 锁相放大 * * 3.1 光谱仪器概论 3.2 光源 3.3 色散系统 3.4 探测器 3.5 光谱信息化处理 3.4.1 热探测器 3.4.2 外光电效应探测器 3.4.3 内光电效应探测器 3.4.4 阵列式光电探测器 3.4.5 取样积分 3.4.6 锁相放大 光谱仪器的光度特性在很大程度上取决于探测器 光谱仪器的光谱范围也与探测器相关 光谱响应——波长范围 探测器性能 灵敏度——对辐射信号强弱的感知程度 信噪比——信号受噪声影响程度 线性响应度——所能测量的光度范围 响应时间——对探测快瞬变过程很重要 探测器的发展 目视观察：光谱范围有限，仅能定性分析，不便记录保存 照相摄谱：精度不高，过程繁琐，效率低下 光电检测：精度高，灵敏度高，响应速度快，便于记录保存 利用光的热效应，光辐射→温度→物理量(如电阻、电压等) 具有平坦的光谱响应特性，即它仅与辐射能量有关，与波长无关 多用于探测红外光，因为红外光具有较好的热效应 响应速度较慢，这在一定程度上限制了其应用 高莱池、热敏电阻、热电偶、热（释）电探测器 (1) 高莱池 Golay cell 利用热膨胀效应，密封气体受热膨胀→引起反射镜位置变化→改变探测器的接收光强 响应速度慢，气体室需尽量小 (2) 热敏电阻 电阻对温度敏感的半导体材料制成 将热敏电阻接在电路中，测量电压或电流变化 R1 V0 RT I Vs (3) 热电偶 由两种不同的导体或半导体构成，通常使用两种不同的金属材料，将它们焊接在一起构成回路 当吸收辐射光引起温度改变时，热电偶的端点1和2之间会产生电势差，从而在回路中形成电流 多个热电偶串联→热电堆，它具有更高的探测灵敏度。 (4) 热（释）电探测器 利用某些对称晶体的自生电极化特性，温度→改变晶体表面的电荷数目，引出两个电极→小电容 相比于其它热探测器，响应速度更快，辐射恒定时没有输出 常用材料，硫酸三苷肽TSG或DTSG，近红外~毫米波 吸收光子并向外发射电子，即通常意义上的光电效应 探测器的阴极材料决定了探测的截止波长，只有光子能量大于材料的电子逸出功时才能向外发射电子 外光电效应探测器——(1)光电管 光辐射→阴极材料发射电子→电子向阳极移动→电流 光辐射强度越大，单位时间内产生的电子数目会越多 量子效率仅为0.1，最小可探测功率10-10 W，3×108个光子/秒 外光电效应探测器——(2)光电倍增管 光辐射→阴极材料发射电子→电子受外电场加速→聚焦于第一倍增极→激发出更多电子→第二倍增极→阳极 10次倍增后可放大108~1010倍，量子效率比光电管高得多 动态范围大，8个数量级，下限受暗电流限制，上限受限空间电荷效应 单光子计数 辐射功率很小时，光电倍增管的输出电流呈脉冲形式，此时测量单位时间内的脉冲数比电流强度的灵敏度更高 光电流脉冲→前置放大器→电平甄别→计数→显示和记录 增益起伏影响小，可抑制暗电流、漏电流，数字信号利于处理 微通道板 一般与阵列探测器配合使用 光辐射→电导率变化或产生光生电动势(不发射电子) 分为光导效应和光伏效应 一般由半导体材料构成，不同材料光谱响应不同 光导效应探测器——光敏电阻 吸收光子→激发价带电子到导带→使半导体的电导率变大 作为电阻串联在电路中使用，受到光照射时，电流会增大 工作温度，PbS探测器（室温），InSb探测器（77 oK） 响应时间，受限载流子寿命，响应速度不快，PbS探测器（0.1~1 ms），InSb探测器（μs量级） 光伏效应探测器——光电池 光导效应与光伏效应区别 光电池，光辐射转化为电压，主动器件 噪声小、响应快、线性度好、受温度影响小 少数载流子导电 光伏效应 在弱辐射信号探测和光谱响应范围方面具优势 多数载流子导电 光导效应 特性 原理 光伏效应探测器——光电池(Cont.) PN结，光照产生的电子空穴对在过渡层的内建电场的作用下会分别向N区和P区移动，使N区带负电和P区带正电，形成光生电动势 负载电阻必须足够小，以保持输出电压低于其饱和值，否则输出信号与光辐射强度不再呈正比关系。 导带 价带 + hv - - - P N - - - + + + + + E 光电二极管——(1) PIN型光电二极管 光电二极管是在大的反向偏压下工作的光导半导体或光伏半导体，受光辐射时，有正比于辐射强度的电流流经管子 PIN型光电二极管，在PN结区之间加入一层本征半导体 响应速度快(PN结空间电荷层间距加宽，结电容变小)，线性输出