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第3章：半导体存储器及其接口 教学重点 第3章：3.1 半导体存储器概述 第3章：3.1.1 存储器的分类 按存储器所采用的元件 磁芯存储器、半导体存储器、磁泡存储器、磁表面存储器和激光存储器 按存储器和CPU关系 内存 存取速度快，几十ns左右 外存 存储容量大、存取速度慢、若干毫秒 Cache 容量只有几KB到几百KB，速度同CPU一致 第3章：3.1.1 存储器的分类 第3章：图3.1 半导体存储器的分类 第3章：⑴读写存储器RAM 第3章：⑵只读存储器ROM 掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改 PROM：允许一次编程，此后不可更改 EPROM：用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程 EEPROM（E2PROM）：采用加电方法在线进行擦除和编程，也可多次擦写 Flash Memory（闪存）：能够快速擦写的EEPROM，但只能按块（Block）擦除 第3章 3.1.2 内存储器的性能指标 存储容量 通常用该内存所能存储的字数及其字长的乘积来表示，即 存储容量=字数*字长 最大存取时间 内存储器从接收、寻找存储单元的地址码开始，到它取出或存入数码为止所需的时间叫做存取时间。该数的上限值称为最大存取时间。 功耗 包括“维持功耗”和“操作功耗” 可靠性 指存储器对电磁场及温度等变化的抗干扰能力 集成度 指在一片数平方毫米的芯片上能集成多少个基本存储电路，每个基本存储电路存储一个二进制位 第3章：3.2 随机存取存储器RAM-3.2.1 基本结构及组成 第3章：①存储体 基本存储电路的排列方法有三种：N*1结构，每个存储单元可存储1位（位片结构）或多位N*4、N*8（字片结构），每个存储单元可存储4/8位二进制数据 存储容量与地址、数据线个数有关： 芯片的存储容量 ＝存储单元数×存储单元的位数＝2M×N M：芯片的地址线根数 N：芯片的数据线根数 第3章：②地址译码电路 第3章：③存储器控制电路 片选端CS*或CE* 有效时，可以对该芯片进行读写操作 输出OE* 控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线 写WE* 控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线 三态双向缓冲器（注意三态的作用） 第3章 基本存储器电路举例 静态基本存储电路（NMOS） 第3章 基本存储器电路举例 静态基本存储电路（CMOS） 第3章 基本存储器电路举例 动态基本存储电路 第3章：3.2.3 典型存储器芯片举例-6116静态RAM 6116静态RAM 第3章：SRAM芯片6264 第3章：2164A动态RAM芯片 第3章：2164A动态RAM芯片 第3章 3.2.4 EDO RAM、SDRAM及内存条 EDO RAM（扩展数据输出） 廉价的单周期内存，特点是：读写内存时，内存周期可以重叠，吞吐量高。 SDRAM（Synchronous DRAM） 读写操作时，与CPU一样以主频为同步时钟，可成组传送 RDRAM（Rambus DRAM） 第3章 3.3 只读存储器ROM 3.3.1 只读存储器的结构、特点和分类 特点：非易失性、脱机或非工作情况下写入 结构 第3章 3.3 只读存储器ROM-工作原理 第3章 3.3.1 只读存储器ROM-分类 掩模编程的ROM 用最后一道掩模工艺来控制某种特定基本存储电路的晶体管能否工作（单向选择开关是否接通）,以便达到预先写入信息的目的。制造完毕后用户不能修改。主要用作微型机标准程序存储器。 可改写的PROM 用户可以自行写入信息，也可擦除信息，并重写。根据擦除的方法不同分：EPROM、EEPROM 第3章 3.3.2 EPROM基本存储电路-工作原理 第3章：3.3.2 EPROM基本存储电路 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息 一般使用专门的编程器（烧写器）编程 编程后，应该贴上不透光封条 出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息 “1” 编程就是将某些单元写入信息0 2716一位的结构框图 第3章：3.3.3 芯片举例-EPROM芯片2716 第3章：EPROM芯片2764 第3章：EEPROM芯片2816 第3章：3.3.4闪速存储器 一种新型存储器，是从EPROM演化而来的。属于可更新的非易失性存储器，且是主机系统内可在线重写的非易失性存储器 与EEPROM区别：EEPROM可按字节擦除和更新，而Flash只能按分块进行 兼具有EEPROM和SRAM的优点。其集成度与位价格己接近EPROM，是代替EPROM和EEPROM的理想器件，也是未来小型磁盘的替代品（电子盘），将广泛应用于笔记本计算机和便携式电子与通信设备中。 主要用途 作为可更新的代码存储器 作为固态大容量存储器