第4章双极型晶体管工作原理(精编).ppt

为了得到性能优良的晶体管，必须保证管内结构： ①.发射区相对基区要重掺杂； ②.基区要很窄（2微米以下）； ③.集电结面积要大于发射结面积。 通过对管内载流子传输的讨论可以看出，在晶体管中，窄的基区将发射结和集电结紧密地联系在一起。从而把正偏下发射结的正向电流几呼全部地传输到反偏的集电结回路中去。这是晶体管能实现放大功能的关键所在。 iC不受iB控制，表现为不同iB的曲线在饱和区汇集。 (3). 当uCE =0时，晶体管相当于两个并联的二极管，所以b,e间加正向电压时，iB很大。对应的曲线明显左移。 晶体管的三种工作状态，在实际中各有应用： 二、极间反向电流 1. ICBO ICBO指发射极开路时，集电极-基极间的反向电 流，称为集电极反向饱和电流。 2. ICEO ICEO指基极开路时，集电极-发射极间的反向电 流，称为集电极穿透电流。 3. IEBO IEBO指集电极开路时，发射极-基极间的反向电流。  晶体管工作状态及放大状态下管型、电极的判别 一. 工作状态判别： 二. 晶体管工作在放大状态下管型、电极的判别 1.根据放大管的电极电流判别 规律：电流从e极流出，从b、c极流入，则为NPN管； 电流从e极流入，从b、c极流出，则为PNP管； 2.根据放大管的电极电位判别 规律：e 结电压为0.7V时为硅管，0.3V时为锗管； c 极电位最高、e 极电位最低，则为NPN管； c 极电位最低、e 极电位最高，则为PNP管； 按以上方法判别，若晶体管处于放大状态，则由式 方法2：集电极临界饱和电流为 通过本例题可以看出，在实际电路分析中，由于晶体管的直流模型很简单，一旦其工作状态确定，则直流等效电路可不必画出，而等效的涵义将在计算式中反映出来。 作业 p64 2-2, 2-3, 2-4, 2-7(只求复合管的等效β) 2-8, 本节课的主要内容 2-3　晶体管工作状态分析及偏置电路 方法2：集电极临界饱和电流为 通过本例题可以看出，在实际电路分析中，由于晶体管的直流模型很简单，一旦其工作状态确定，则直流等效电路可不必画出，而等效的涵义将在计算式中反映出来。 ≥ 放大状态 饱和状态 截止状态 放大状态 [举例] 判别图示中晶体管的工作状态 [举例] 判别图示中晶体管的管型、电极并确定β值。 e e e b b b c c c PNP型 NPN型 NPN型 β=4.9/0.1=49 β=1.98/0.02=99 β=3/0.05=60 e e e e b b b b c c c c 硅 PNP 硅 NPN 锗 NPN 锗 PNP [举例] 判别图示中晶体管的管材、管型和电极。 4.4.3　晶体管工作状态分析 由晶体管的伏安特性曲线可知，晶体管是一种复杂的非线性器件。在直流工作时，其非线性主要表现为三种截然不同的工作状态，即放大、截止和饱和。 在实际应用中，根据实现的功能不同，可通过外电路将晶体管偏置在某一规定的状态。 因此，在晶体管应用电路的分析中，一个首要问题，便是晶体管工作状态分析以及直流电路计算。 iB u BE I B Q U BE Q Q I C U CE Q 　 由外电路偏置的晶体管，其各极直流电流和极间电压将对应于伏安特性曲线上一个点的坐标，这个点我们称为直流(或静态)工作点，简称Q点。 　 一. 晶体管的直流模型 I B U BE I C Q U CE Q Q Q Q Q Q 因此，对晶体管各极直流电流和极间电压的计算通常又称为工作点的计算。 C E 0 i C u iB u BE 0 U BE(on) U CE(sat) I B =0 0.7V(硅管) 0.3V(锗管) UBE(on) = 0.5V(硅管) 0.1V(锗管) UCE(sat) = 饱和状态 UBE=UBE（on） UCE=UCE(sat) 放大状态 UBE=UBE(on) IC= β IB 截止状态 IB=0，IC=0 晶体管