第5章半导体器件(免费阅读).pptVIP

第5章 半导体器件 5.1.1 本征半导体 5.1.1 本征半导体 5.1.1 本征半导体 5.1.1 本征半导体 5.1.2 N型半导体和P型半导体 5.1.3 PN结及其单向导电性 5.1.3 PN结及其单向导电性 5.1.3 PN结及其单向导电性 2. PN结的单向导电性 5.2 半导体二极管 5.2.2 二极管的伏安特性 5.2.2 二极管的伏安特性 5.2.3 二极管的主要参数 5.2.4 二极管的应用 1.如图,二极管D1.D2为理想元件,判断D1.D2 的工作状态为( )。 (a). D1导通, D2截止 (b). D1 导通, D2导通 (c). D1截止, D2导通 (d). D1截止, D2截止 2.半导体二极管的主要特点是具有（ ）。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 5.3 稳压管 5.3.2 稳压管的主要参数 5.3.2 稳压管的主要参数 例题1：如图,通过稳压管的电流IZ等于多少？ 5.4 半导体三极管 5.4.1 基本结构 5.4.2 电流放大作用 5.4.2 电流放大作用 5.4.3 晶体管的特性曲线 1. 输入特性曲线 2.输出特性曲线 2.输出特性曲线 2.输出特性曲线 5.4.4 晶体管的主要参数 1. 某晶体管工作在放大状态,三个极的电位分别为VE=-1.7V, VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为( )。 (a).NPN型锗管 (b).PNP型锗管 (c).NPN型硅管 (d).PNP型硅管 2.晶体管的主要特点是具有( )。 (a).单向导电性 (b).电流放大作用 (c).稳压作用 3.晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。 (a)发射结正偏,集电结反偏 (b)发射结、集电结均反偏 (c)发射结、集电结均正偏 4.当晶体管的IC超过其最大允许值ICM时,其后果为( )。 (a)晶体管一定损坏 (b)不一定损坏、但要β下降 (c)不一定损坏、但β要升高 5.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,ICBO, UBE的变化情况为( )。 β增大,ICBO和UBE减小 (b) β和ICBO增大,UBE减小 (c) β和UBE减小,ICBO增大 (d) β,ICBO,UBE都增大 6.测得某一PNP硅管三个极的电位是:VB=-3.2V,VE=-2.5V, VC=-7V,则该管工作在( )。 (a)线性放大状态 (b)饱和工作状态 (c)截止工作状态 7. 如图,判断处于饱和状态的晶体管是( )。 1.电路如图,二极管D为理想元件,输入信号ui为如图所示的三角波,则输出电压uO的最大值为（ ）。 (a)5V (b)10V (c)2V (d)7V 输入特性曲线:当UCE为常数时,输入回路中IB与UBE之间的关系曲线。 0 0.4 20 0.8 40 60 80 UBE(V) IB(?A) UCE?1V 3DG6的输入特性曲线 对硅管,当UCE ?1V时,集电结已反偏,发射结正偏,发射区扩散到基区的自由电子中绝大部分被拉入集电区,形成IC。UCE ?1V,输入特性曲线基本重合为一条。 硅管的死区电压为0.5V,锗管为0.1V。发射结导通压降NPN型硅管UBE=0.6～0.7V,PNP型锗管UBE = -0.2～-0.3V。 IB一定时,UCE≥1V,形成IC,当UCE继续增加时,IC 的增加将不再明显。这是晶体管的恒流特性。 当IB增加时,相应的IC也增加,曲线上移,而且IC 比IB 增加得更明显。这是晶体管的电流放大作用。 输出特性曲线:在IB为常数时,输出电路中IC与UCE之间的关系曲线。在不同的IB下,可得到不同的曲线,即晶体管的输出特性曲线是一组曲线。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 (1).放大区 特性曲线近于水平的区域。在放大区内 也称线性区。 发射结正向偏置,集电结反向偏置。NPN型UBE0,UBC0,即VCVBVE; PNP型UBE0,UBC0,即VCVBVE。 (2).截止区 IB=0曲线以下的区域。IC≈0, UCE≈UCC,截止时两个PN结都反向偏置。NPN型UBE0,UBC0,b点电位最低。 PNP型UBE0,UBC0, b点电位最高。 放大区 截止区 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12