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5.1 引言 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6.1 变容二极管VCO 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6.1 变容二极管VCO 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6.1 变容二极管VCO 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6.1 变容二极管VCO 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6.2 晶体压控振荡器VCXO 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6.2 晶体压控振荡器VCXO 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6.2 晶体压控振荡器VCXO 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6.2 晶体压控振荡器VCXO 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6.3 VCO的主要技术指标 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6.3 VCO的主要技术指标 5.6 压控振荡器(VCO) 5.6.3 VCO的主要技术指标 5.7 集成振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.1 集成压控多谐振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.1 集成压控多谐振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.1 集成压控多谐振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.1 集成压控多谐振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.1 集成压控多谐振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.1 集成压控多谐振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.1 集成压控多谐振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.1 集成压控多谐振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.2 集成电路LC振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.2 集成电路LC振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.2 集成电路LC振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.3 MOS LC集成振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.3 MOS LC集成振荡器 5.7 集成振荡器 5.7.4 集成环形VCO 5.7 集成振荡器 5.7.4 集成环形VCO 5.7 集成振荡器 5.7.4 集成环形VCO 5.7 集成振荡器 5.7.4 集成环形VCO 5.7 集成振荡器 5.7.4 集成环形VCO 5.7 集成振荡器 5.7.4 集成环形VCO 5.7 集成振荡器 5.7.4 集成环形VCO 5.7 集成振荡器 5.7.4 集成环形VCO 5.7 集成振荡器 5.7.5 正交I/Q信号的产生 5.7 集成振荡器 5.7.5 正交I/Q信号的产生 5.7 集成振荡器 5.7.5 正交I/Q信号的产生 环形VCO中的两种增益级 传统CMOS反相器,由它构成环形VCO时级数必须是奇数,振荡输出波形一般为方波. MOS差分放大器输出差值电流可表示为: MOS差放由于线性范围宽,工作时不会进入深饱和和截止区,较少了电荷存储时间,工作频率可以做高,频率线性可调范围可以做宽。而且构成环形振荡器后,可得到较好的正弦波输出。 若设MOS差分放大器从线性区到饱和区的时间为tdf(或称充电时间),而从饱和回到线性的时间为tdr(或称放电时间),则每个MOS差放的充放电时间为: Cds——MOSFET的沟道等效电容, μn ——N型半导体自由电子的迁移率, COX——MOSFET的栅区电容, W/l——MOSFET的沟道宽长比 当有n级MOS差放构成的环形VCO时,在完成环形一周的总延迟时间为 环形VCO的工作频率fosc: 压控灵敏度Ko: 图5.7.12 六级结构的环形VCO 根据振荡器的Barkhausen准则,在振荡总相移为2nπ、环路增益等于1的频率上,级数每减少一级,各级所需的相移就需要增加。 下图为该环形VCO的输出波形,图中输出I/Q信号的峰峰值为620mV。 图5.7.13 环形VCO的输出I/Q信号波形 在数字通信系统中,接收通道和发射通道都需要正交的I/Q本振信号。 对于具有偶数级的环形VCO,可以很方便地输出I/Q本振信号。 如六级MOS差放环形VCO,第3级和第6级的输出信号相位差为π/2,即就是I/Q本振输出。 对于前
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