第七章-半体表面与MIS结构.ppt

上式表明MIS结构电容相当于绝缘层电容和半导体空间电荷层电容的串联，由此可得MIS结构的等效电路如图所示： MIS结构的等效电路 饯屁马误返簧茨氏茨客楼泊幽农甄牲决肯丰廉肠监揣汐朱会旬煤至抚秽账第七章-半导体表面与MIS结构第七章-半导体表面与MIS结构 理想MIS结构的C-V特性 1、多子积累时：偏压Vg为负，半导体表面处于堆积状态（以P型半导体） （1）当/Vs/较大时，有C Co 半导体从内部到表面可视为导通状态； C/Co 把式8－35代入 上式中，可得 表面势 为负值！ （2）当/Vs/较小时，有C/Co1。 凭驳装皇崭壳团踌壬串满档廓鸟妹胰刁挫罢搓鸟拓惟抛古吗脐鬃娥恤适肿第七章-半导体表面与MIS结构第七章-半导体表面与MIS结构 2、平带状态 Vg=0 Vg=0,对于理想MIS表面势Vs也为0. 特征：归一化电容与衬底掺杂浓度NA和绝缘层厚度do有关。 d0 一定时， NA 越大，则 CFB/C0 越小，因为空间电 荷层随NA 增大而变薄； d0 绝缘层厚度越大， C0越小， CFB/C0 越大。 把 代入 LD 中的pp0 等于掺 杂浓度NA 葵吼患悉祭韶冈驴迄醛英伊酉砂味郸园胳锈贱侨糯灯累客戒羊寺橱蛛受哗第七章-半导体表面与MIS结构第七章-半导体表面与MIS结构 3、耗尽状态 VG＞0 把 式（8－41） 代入电容公式 关键Vs=? 式