半导体实验告1.docVIP

半导体物理实验报告 物理学院 12级电子3班 郭旭洪 学号：3112008307 合作者：冯嘉进 实验一 半导体的霍尔效应 实验目的 1、了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。 2、学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量试样的VH-IS和VH-IM曲线。 3、确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。 实验仪器 霍尔效应实验组合仪 实验步骤 = 1 \* GB2 ⑴ 开关机前，测试仪的“IS调节”和“IM调节”旋钮均置零位（即逆时针旋到底）。 = 2 \* GB2 ⑵ 按图1.2 连接测试仪与实验仪之间各组连线。注意：①样品各电极引线与对应的双刀开关之间的连线已由制造厂家连接好，请勿再动！②严禁将测试仪的励磁电源“IM输出”误接到实验仪的 “IS输入”或“ＶＨ、输出”处，否则，一旦通电，霍尔样品即遭损坏！样品共有三对电极，其中A、A/或C、C/用于测量霍尔电压，A、C或A/、C/用于测量电导，D、E为样品工作电流电极。样品的几何尺寸为：d=0.5mm ,b=4.0mm ,A、C电极间距l=3.0mm。仪器出产前，霍尔片已调至中心位置。霍尔片性脆易碎，电极甚细易断，严防撞击，或用手去摸，否则，即遭损坏! 霍尔片放置在电磁铁空隙中间，在需要调节霍尔片位置时，必须谨慎，切勿随意改变y轴方向的高度，以免霍尔片与磁极面磨擦而受损。 = 3 \* GB2 ⑶ 接