IGBT各种驱动、保护.docVIP

IGBT的 IGBT的基本结构绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个P型层。根据国际电工委员会 IEC／TC（CO）1339文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。图2－53所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 为了兼顾长期以来人们的习惯， IEC规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。 IGBT的结构剖面图如图2－53所示。它在结构上类似于 MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET的N+基板（漏极）上增加了一个P+基板（IGBT 的集电极），形成 PN结j1，并由此引出漏极、栅极和源极则完全与MOSFET 相似。 由图2－5 4可以看出，IGBT相当于一个由MOSFET 驱动的厚基区GTR，其简化等效电路如图2－55 所示。图中Rdr是厚基区GTR 的扩展电阻。IGBT 是以GTR为主导件、MOSFET 为驱动件的复合结构。 N沟道IGBT的图形符号有两种，如图2－56。所示。实际应用时，常使用图2 －5 6b所示的符号。对于P沟道，图形符号中的箭头方向恰好相反，如图 2－57所示。IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通，此时，从P+区注到N 一区进行电导调制，减少N一区的电阻Rdr值，使高耐压的 IGBT也具有低的通态压降。在栅极上加负电压时， MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断。正是由于IGBT是在N沟道MOSFET的N+基板上加一层P+基板，形成了四层结构，由PNP－NPN晶体管构成 IGBT 。但是， NPN晶体管和发射极由于铝电极短路，设计时尽可能使NPN不起作用。所以说，IGBT的基工作与NPN晶体管无关，可以认为是将N沟道MOSFET作为输入极，PNP晶体管作为输出极的单向达林顿管。采取这样的结构可在N一层 作电导率调制，提高电流密度。这是因为从P+基板经过N+层向高电阻的N--层注入少量载流子的结果。 IGBT 的设计是通过PNP－NPN晶体管的连接形成晶闸管。 IGBT的工作原理和工作特性IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N 一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。 当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT在高电压 时，也具有低的通态电压。 IGBT的工作特性包括静态和动态两类： 静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控 制，Ugs越高 Id 越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无 N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只 能达到几十伏水平，因此限制了IGB的某些应用范围。 IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电 压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内， Id与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。 IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on)可用下式表示 Uds(on)＝Uj1＋Udr＋IdRoh（2－14） 式中Uj1 —— JI结的正向