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集成电路工艺原理 1948年 W. Shockley 提出结型晶体管概念 Explosive Growth of Computing Power INFO130024.01 集成电路工艺原理 第一讲 前言 大纲 （2） 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 大纲 （2） 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 W. Shockley J. Bardeen W. Brattain 1st point contact transistor in 1947 -- by Bell Lab 1956年诺贝尔物理奖 点接触晶体管：基片是N型锗，发射极和集电极是两根金属丝。这两根金属丝尖端很细，靠得很近地压在基片上。金属丝间的距离：~50μm 不足之处: 可靠性低、噪声大、放大率低等缺点 1950年 第一只NPN结型晶体管 Ti 公司的Kilby 12个器件，Ge 晶体 (Fairchild Semi.) Si IC J. Kilby－TI 2000诺贝尔物理奖 R. Noyce－Fairchild 半导体Ge，Au线 半导体Si，Al线 简短回顾：一项基于科学的伟大发明 Bardeen, Brattain, Shockley, First Ge-based bipolar transistor invented 1947, Bell Labs. Nobel prize Kilby (TI) Noyce (Fairchild), Invention of integrated circuits 1959, Nobel prize Atalla, First Si-based MOSFET invented 1960, Bell Labs. Planar technology, Jean Hoerni, 1960, Fairchild First CMOS circuit invented 1963, Fairchild “Moore’s law” coined 1965, Fairchild Dennard, scaling rule presented 1974, IBM First Si technology roadmap published 1994, USA SSI?(小型集成电路)，晶体管数?10~100，门数10???MSI?(中型集成电路)，晶体管数?100~1,000，10门数100 ??LSI?(大规模集成电路)，晶体管数?1,000~100,000，门数100??VLSI?(超大规模集成电路)，晶体管数?100,000~?1,000,000 ULSI (特大规模集成电路) ，晶体管数1,000,000 GSI (极大规模集成电路) ，晶体管数109 SoC－－system-on-a-chip/SIP－－system in packaging VLSI 摩尔定律（Moore’s Law) 硅集成电路二年（或二到三年）为一代，集成度翻一番，工艺线宽约缩小30%，芯片面积约增1.5倍，IC工作速度提高1.5倍 技术节点 特征尺寸 DRAM 半导体电子：全球最大的工业 Pentium IV 1st transistor 1947 1st electronic computer ENIAC (1946) Vacuum Tuber 1st computer(1832) Macroelectronics Microelectronics Nanoelectronics 2003 Itanium 2? 1971 4004 ? 2001 Pentium IV ? 1989 386 ? 2300 134 000 410M 42M 1991 486 ? 1.2M transistor /chip 10 μm 1 μm 0.1 μm transistor size Human hair Red blood cell Bacteria Vir