第9章二极管和三极管(免费阅读).pptVIP

9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 9.1.3 PN结及其单向导电性 9.1.3 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 9.2 半导体二极管 9.2.1 基本结构 9.2半导体二极管 9.9.2 伏安特性 9.2.3 主要参数（了解） 二极管电路分析举例 9.3 稳压二极管 3. 主要参数(了解) 9.4 半导体晶体管 9.4.1 基本结构 9. 4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 9.4.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。 3) 当IB=0(基极开路)时, IC=ICEO,很小接近于０。 4) 要使晶体管起电流放大作用，发射极必须正向偏置，集电极必须反偏。 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V * 第9章 半导体二极管和三极管 （下篇） 返回 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 第9章 二极管和晶体管 9.2 二极管 9.3 稳压二极管 9.4 晶体管 9.1 半导体的导电特性 9.5 光电器件 第9章 二极管和晶体管 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，晶体管的电流分配和 电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和晶体管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。 9.1 半导体的导电特性 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻) 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、 光敏二极管、光敏三极管等)。 热敏性： 当环境温度升高时，导电能力显著增强。 (可做成各种不同用途的半导体器件， 如二极管、三极管和晶闸管等）。 9.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流： 1）自由电子作定向运动 ?电子电流 2）价电子递补空穴 ?空穴电流 注意： 1. 本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差； 2. 温度愈高， 载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体