第9章半导体存储器(免费阅读).pptVIP

9.2.2 EPROM存储器的应用 * * 第9章 半导体存储器 9.2.2 EPROM存储器的应用　　　 9.2.1 只读存储器（ROM） 9.2 只读存储器 (ROM) 结束 放映 9.1 半导体存储器概述 复习 A/D转换的步骤？ 取样定理？ 量化误差是不可避免的吗？如何减小量化误差？ 9.1 半导体存储器概述 　　数字系统中用于存储大量二进制信息的器件是存储器。 　　穿孔卡片→纸带→磁芯存储器→半导体存储器 　　半导体存储器的优点：容量大、体积小、功耗低、存取速度快、使用寿命长等。 　　半导体存储器按照内部信息的存取方式不同分为两大类： 　　1、只读存储器ROM。用于存放永久性的、不变的数据。 　　2、随机存取存储器RAM。用于存放一些临时性的数据或中间结果，需要经常改变存储内容。 1. 固定ROM 　　只读存储器所存储的内容一般是固定不变的，正常工作时只能读数，不能写入，并且在断电后不丢失其中存储的内容，故称为只读存储器。 ROM组成： 地址译码器 存储矩阵 输出电路 图9-1 ROM结构方框图 9.2.1 只读存储器（ROM） 地址译码器有n个输入端，有2n个输出信息，每个输出信息对应一个信息单元，而每个单元存放一个字，共有2n个字（W0、W1、…W2n-1称为字线）。 每个字有m位，每位对应从D0、D1、…Dm-1输出（称为位线）。 存储器的容量是2n×m(字线×位线)。 ROM中的存储体可以由二极管、三极管和MOS管来实现。 图9-2 二极管ROM 　图9-3 字的读出方法 在对应的存储单元内存入的是1还是0，是由接入或不接入相应的二极管来决定的。 存储矩阵 为了便于表达和设计，通常将图9-2简化如图9-4 所示。 图9-4 4×4 ROM阵列图 有存储单元 地址译码器 图9-2 二极管ROM 　　在编程前，存储矩阵中的全部存储单元的熔丝都是连通的，即每个单元存储的都是1。 用户可根据需要，借助一定的编程工具，将某些存储单元上的熔丝用大电流烧断，该单元存储的内容就变为0，此过程称为编程。 熔丝烧断后不能再接上，故PROM只能进行一次编程。 2．可编程只读存储器（PROM） 　　图9-5 PROM的可编程存储单元 3．可擦可编程ROM（EPROM） 最早出现的是用紫外线照射擦除的EPROM。 浮置栅MOS管（简称FAMOS管）的栅极被SiO2绝缘层隔离，呈浮置状态，故称浮置栅。 当浮置栅带负电荷时， FAMOS管处于导通状态，源极－漏极可看成短路，所存信息是0。 若浮置栅上不带有电荷，则FAMOS管截止，源极－漏极间可视为开路，所存信息是1。 图9-6 浮置栅EPROM (a) 浮置栅MOS管的结构 (b) EPROM存储单元 带负电 -导通 -存0 不带电 -截止 -存1 　　浮置栅EPROM出厂时，所有存储单元的FAMOS管浮置栅都不带电荷，FAMOS管处于截止状态。 　　写入信息时，在对应单元的漏极与衬底之间加足够高的反向电压，使漏极与衬底之间的PN结产生击穿，雪崩击穿产生的高能电子堆积在浮置栅上，使FAMOS管导通。 　　当去掉外加反向电压后，由于浮置栅上的电子没有放电回路能长期保存下来，在的环境温度下，７０％以上的电荷能保存１０年以上。 　　如果用紫外线照射FAMOS管１０～３０分钟，浮置栅上积累的电子形成光电流而泄放，使导电沟道消失，FAMOS管又恢复为截止状态。为便于擦除，芯片的封装外壳装有透明的石英盖板。 　　程序存储器、码制转换、字符发生器、波形发生器等。 　 例：八种波形发生器电路。 将一个周期的三角波等分为256份，取得每一点的函数值并按八位二进制进行编码，产生256字节的数据。用同样的方法还可得到锯齿波、正弦波、阶梯波等不同的八种波形的数据，并将这八组数据共2048个字节写入2716当中。