第一半导体工艺概述2(免费阅读).pptVIP

第一章 微电子工艺概述 微电子工艺是指微电子产品的制作方法、原理、技术。不同产品的制作工艺不同，且繁琐复杂，但可以分解为多个基本相同的小单元，就是单项工艺，不同产品的制作就是将单项工艺按需要排列组合来实现的。 芯片制造半导体器件制作在硅片表面仅几微米的薄层上，在一片硅片上可以同时制作几十甚至上百个特定的芯片。 芯片制造涉及五个大的制造阶段：硅片制备、芯片制造、芯片测试/拣选、装配与封装、终测 芯片制造的特点 高技术密集型 超洁超净 大批量生产 芯片制造的特点 高技术密集型 当今的芯片结构含多层薄膜和掺杂（4—5层）完成如此复杂的结构需要很多生产工艺和步骤。如64GbCMOS器件的特殊制程需要180个重要工艺步骤，52次清洗和多达28层膜版，尽管如此，所有这些工艺步骤都是四大基础工艺之一。 基本工艺 增层 光刻 掺杂 热处理 增 层 制程方法 具体分类 氧化 常压氧化 高压氧化法 快速热氧化（RTO） 化学气相淀积 常压化学气相淀积 低压化学气相淀积 等离子增强化学气相淀积 气相外延法 金属有机物CVD 分子束外延 物理气相淀积 真空蒸发法 溅射法 光 刻 光刻胶 正胶工艺 负胶工艺 曝光源 高压汞 X射线 电子束曝光 曝光系统 接触式曝光 接近式曝光 投影式曝光 步进曝光 刻蚀 湿化学刻蚀 干法刻蚀 反应离子刻蚀法 掺杂 扩散 开放式炉管—水平/竖置 封闭炉管 快速热处理 离子注入 中/高电流离子注入 低能量/高能量离子注入 热处理 制程方法 具体分类 加热 加热盘 热对流 快速加热 热辐射 红处线加热 芯片制造的特点 超洁超净 半导体芯片尤其是高密度的集成电路，极易受到多种污染物的损害，主要体现在器件成品率，器件性能，器件可靠性。 污染物：微粒、金属离子、化学物质、细菌 污染物的相对尺寸 由经验得出的允许存在的微粒尺寸的法则： 微粒的尺寸要小于器件上最小的特征图形尺寸的1/10倍。 如：0.03μm危害0.3μm线宽的图形 金属离子 在晶片中的金属离子会改变器件的电学特性和可靠性。这些金属离子在半导体内部可以自由移动，造成器件失效。 Na+ K+ Fe3+ Mg2+ Al3+ 较常见的可移动离子 化学物质 工艺过程中所用的化学用品和可能会受到对芯片产生污染，导致晶片表面受到不需要的刻蚀，在器件上生成无法去除的化合物，或者引起不均匀的工艺过程。氯就是这样的一种污染物，他在工艺过程中用到的化学用品中的含量受到