《模拟电子技术》习题答案 2《模拟电子技术》习题答案 2.docVIP

项目一 习题参考答案 1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。 2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。 3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用(表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。 4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用gm表示，它的主要特点是输入电阻很大。 5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。 6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压UAB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。 图1.52 题6图 解：（a）VD导通，UAB=-6V。 （b）VD截止，UAB=-12 V。 （c）VD1导通，VD2截止，UAB=0 V。 （d）VD1截止， VD2导通，UAB=-15 V。 7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，ui =6sin( t (V)，试画出uO的波形。 图1.53 题7图 解：（a） （b