第七章三五族化合物半导体(精编).pptVIP

砷化镓气相外延 CLVPE生长GaAs Ga/AsCl3/H2体系 HVPE生长GaAs Ga/HCl/AsH3/H2体系 砷化镓气相外延 CLVPE生长GaAs 反应过程 CLVPE生长GaAs ?工艺过程 源组分稳定性对外延层质量的影响 Ga源的饱和过程： 未饱和→饱和→低温处成核（硬壳）→向高温区扩展→全壳 实践表明：VPE生长时，表面保持全壳,外延 层质量好（固体GaAs作镓源使源区气相组成 较稳定，但固体GaAs源纯度差） ?保持完整的全壳，要保持气相As分压大于等于三相平 衡的As分压以及温度的稳定。 CLVPE生长GaAs 影响生长速度的因素 衬底温度、衬底晶向、AsCl3分压、气体流速、反应室压力及所用载气种类等多种因素有关 CLVPE外延生长其他化合物 用In+PCl3+H2体系可以生长InP外延层 用Ga+PCl3+H2体系可以生长GaP外延层 由于AlCl3易与石英反应管发生反应，故不宜用CLVPE生长AlGaAs固溶体外延材料 CLVPE生长优点：设备简单，可以沉积出高纯 外延材料 缺点：由于Ga