第七章掺杂技术离子注入(精编).pptVIP

第七章 离子注入 （Ion Implantation） 离子注入概述 最早应用于原子物理和核物理研究 提出于1950’s 1970’s中期引入半导体制造领域 离子束加工方式可分为 1、掩模方式（投影方式） 2、聚焦方式（扫描方式，或聚焦离子束（FIB）方式） 聚焦系统：用来将加速后的离子聚集成直径为数毫米的离子束。 偏转扫描系统：用来实现离子束 x、y 方向的一定面积内进行扫描。 工作室：放置样品的地方，其位置可调。 　　在实际工作中，平均投影射程 RP (?) 及标准偏差 ?RP (?)与注入能量 (KeV) 的关系可从下图 （下表）查到。 7.3 离子注入的特点 1.特点 可以独立控制杂质分布（离子能量） 和杂质浓度（离子流密度和注入时间） 各向异性掺杂 容易获得高浓度掺杂 （特别是：重杂质原子，如P和As等）。 2.离子注入与扩散的比较 3.离子注入控制 离子束流密度和注入时间控制杂质浓度 （注入离子剂量） 离子能量控制结深 杂质分布各向异性 4.阻止机制 典型离子能量：5～500keV 离子注入衬底，与晶格原子碰撞，逐渐损失其能量，最后停止下来 两种阻止机制：核碰撞和电子碰撞 4.阻止机制 核阻止 – 与晶格原子的原子核碰撞 – 大角度散射（离子与靶原子质量同数量级） – 可能引起晶格损伤（间隙原子和空位）. 电子阻止