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9178 EDF8132A1MC EDFA232A1MA 178b_30nm_mobile_lpddr3 edf
178-Ball Mobile LPDDR3 SDRAM
Features
Mobile LPDDR3 SDRAM
EDF8132A1MC, EDFA232A1MAFeatures
?Ultra-low-voltage core and I/O power supplies?Frequency range
–800 MHz (data rate: 1600 Mb/s/pin)?8n prefetch DDR architecture
?8 internal banks for concurrent operation
?Multiplexed, double data rate, command/addressinputs; commands entered on each CK_t/CK_cedge
?Bidirectional/differential data strobe per byte ofdata (DQS_t/DQS_c)
?Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)?Burst length: 8
?Per-bank refresh for concurrent operation?Auto temperature-compensated self refresh(ATCSR) by built-in temperature sensor?Partial-array self refresh (PASR)?Deep power-down mode (DPD)
?Selectable output drive strength (DS)?Clock-stop capability
?On-die termination (ODT)
?Lead-free (RoHS-compliant) and halogen-freepackaging
Options
?VDD1/VDD2/VDDCA/VDDQ: 1.8V/1.2V/1.2V/1.2V?Array configuration–256 Meg x 32 (DDP)–512 Meg x 32 (QDP)?Packaging
–12.0mm x 11.5mm, 178-ball FBGA package–13.0mm x 11.5mm, 178-ball FBGA package?Operating temperature range–From –30°C to +85°C
Table 1: Configuration Addressing – Single-Channel Package
PDF: 09005aef858e9dd3
178b_30nm_mobile_lpddr3.pdf – Rev. A 3/14 EN1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
? 2014 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
178-Ball Mobile LPDDR3 SDRAM
Features
Table 2: Key Timing Parameters
Table 3: Part Number Description
Figure 1: Marketing Part Number Chart
Micron Technology(Micron Japan)Type
D = Packaged device
Packing Media
D = Dry Pack (Tray)
R = Tape and Reel
Environment Code
F = Lead-free (RoHS-compliant) and halogen-free
Product Family
Density/Chip Select
81 = 8Gb/2-CS
A2 = 16Gb/2-CS
Speed
GD = 1600 Mbps
Package
MC = Stacked FBGAMA = Stacked FBGA
Organization
32 = x32
A = VDD1 = 1.8V, VDD2DDCADDQ S8 device,
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