微电子器件第六章JFET资料.pptVIP

场效应晶体管 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 短栅器件的速度饱和效应 绝缘衬底 S G D E Ec 0 L y yc L′ 根据电流连续性原理，沟道中的电流应处处相等。因而在强电场下，虽然漏端沟道并未夹断，但漏极电流因受速度饱和效应限制不再随VDS上升而增加，在较低的漏源电压下提前达到饱和值，输出特性曲线则在更靠近坐标原点处提前拐弯。 ! 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 其中 表示某一固定栅压（VGS-VDS）下对应h2厚度的耗尽层的单位面积的电容（对称栅结构） 由于迁移率随电场强度的变化，使沟道载流子速度饱和，在沟道尚未夹断时，漏极电流（提前）饱和，跨导趋于常数，这一现象称为短栅器件的速度饱和效应。 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 绝缘衬底 S G D E Ec 0 L y yc L′ 漂移速度随电场的变化对漏极电流和跨导的影响 短栅器件的速度饱和效应 6.2 JFET的直流特性与低频小信号参数 6. 高场迁移率的影响 绝缘衬底 S G D E Ec 0 L y yc L′ 短栅器件的电流饱和 沟道漏端形成静电偶极层，承受漏极电流饱和后增加的漏极电压，并使沟道漏端不能夹断。 漏极电流 在长沟器件中(EEc)，由源端到漏端沟道厚度b(y)逐