第二章光电探测器概述(精编).pptVIP

产生-复合噪声 半导体受光照，载流子不断产生-复合。 在平衡状态时，在载流子产生和复合的平均数是一定的 但在某一瞬间载流子的产生数和复合数是有起伏的。 载流子浓度的起伏引起半导体电导率的起伏。 1/f噪声 称闪烁噪声或低频噪声。 噪声的功率近似与频率成反比 多数器件的1/f噪声在200~300Hz以上已衰减到可忽略不或计。 * 第二章 光电探测器概述 光电子技术 §2-1 光电探测器简况与分类 光辐射测量方法 人眼 照片 胶片 光电探测器 光探测器 一、前言 光探测器定义 把光辐射转换成另一种便于测量的物理量的器件。 由于电量是最便于测量和处理的量，将光转换成电量便于提高精确度。　　　　　　　　　 转换 产生了 光电探测器D（detector） 电量 光辐射量 光电探测器定义 把光辐射转换成电量（I或V）的光探测器 因光照而引起物体电学特性的改变统称为光电效应 1905年爱因斯坦发表的相对论而闻名于世 1925年他获得诺贝尔奖是因发现光电效应 光热效应D 光子效应D 金属或半导体受光照时，如果入射的光子能量hν足够大，它和物质中的电子相互作用，使电子从材料表面逸出的现象，也称为外光电效应 热释电 温差电 测辐射热 当光照物体时，光电子不逸出体外的光电效应称为内光电效应 单个光子直接对产生光电子起作用的光电效应 光照使材料产生产生光生电动势 光电管、光电倍增管 探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而把吸收的光能转变为晶格热运动，引起探测元件温度上升；温升使探测元件的电学性质发生变化 二、光电探测器的物理效应分类 光 电 探测器 外光电效应 内光电效应 光电发射效应 光电导 光敏电阻、光导管 光生伏特 光电池、光电二极管 热敏电阻、测辐射热计 热电偶，热电堆 热释电探测器 当光照射到物体上使物体向真空中发射电子 光照使材料的电导率发生变化 光子效应D 光子效应 光子效应 单个光子直接对产生光电子起作用的光电效应 光子hν → 光电子e 特点 光子与电子相互作用，对光波频率吸收有选择性 响应速度快 光热效应 光热效应 探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而把吸收的光能转变为晶格热运动，引起探测元件温度上升；温升使探测元件的电学性质发生变化。 物理机理：热积累↑ → 温度↑ → 材料电学性质变化 特点 对光波频率的吸收无选择性　 响应速度慢（但热释电D响应快） 光电探测器实现光电转换过程。 （光辐射量转换成光电流量） 光电探测器 光辐射量 输入 输出 光电流量 三、光电转换定律 光通量Ф（t）→ P(t) 光能量 → E 光通量（功率） 光生电荷量 → Q 光电流 （1） （2） 输入的光子数 输出的光电子数 （2）÷（1）得 ——光电转换定律★★★ 量子效率 令:光电转换因子D= 结论 ①光电探测器对入射光通量（功率）有光电流输出，所以探测器可视为电流源。 ②因为光通量P(t)正比于光电场的平方，故称光电探测器为平方律探测器（非线性器件）。 设计光电探测系统时，应该选择什么光电探测器呢？依据之一是光电探测器的性能参量。 ①如在卫星上，要求探测器灵敏度高、功率低、重量轻。 ②在通信中,要求响应速度快、噪声低、可靠性高。 §2-2 光电探测器的性能参数 一、光电探测器的主要特性和工作条件 1．光电特性: I(t) [光电流]＝F(P) [光通量] 2．光谱特性:I(t) [光电流]＝F(λ)[入射光波长] 4．伏安特性: I(t)[光电流]＝F(Ｕ)[电压] 3．频率特性: I(t) [光电流]＝F(f)[入射光调制频率] 2. 电路的通频带和带宽:描述探测器的性能时,必须明确通频带和带宽 3．偏置情况:大多数探测器需要偏置电压,需要说明偏置情况 4. 工作温度 5. 光敏面尺寸 主要特性 工作条件 1．辐射源的光谱分布:说明探测器的性能时,需要给出所用辐射源的光谱分布 二、有关响应方面的性能参数 1. 响应率(Responsivity)RV或RI 表征探测器将入射光信号转换成电信号的能力 电流的响应率RI:探测器将入射光信号转换成电流信号Ie的能力。 电压响应率RV：探测器将入射光信号转换成电压信号Ve的能力。 2.单色灵敏度Rλ --- 波长为?的单色辐射源 单色灵敏度:输出的光电流iλ与波长为λ的入射到探测器的单色辐射光通量Pλ（或照度）之比 若 为常数――无选择性探测器（光热探测器） 若 不为常数――选择性探测器（光子探测器） 探测器理想光谱响应曲线图 ---光谱响应度（描述光电器件对单色辐射的响应能力） 表示探测器对连续入射光辐射的反应灵敏程度 3.积分灵敏度 -