半导体器件物理4..ppt

* §1.3 理想 PN 结的直流电流-电压特性 符合以下假设条件的 PN 结称为理想 PN 结模型： 小注入条件。注入的少数载流子浓度比平衡多数载流子浓度小得多。 突变耗尽层条件。外加电压和接触电势差都降落在耗尽层上，耗尽层中的电荷是由电离施主和电离受主的电荷组成，耗尽层外的半导体是电中性的。因此，注入的少数载流子在 P 区和 N 区是纯扩散运动。 通过耗尽层的电子和空穴电流为常量，不考虑耗尽层中载流子的产生及复合作用。 玻耳兹曼边界条件。在耗尽层两端，载流子分布满足玻耳兹曼统计分布。 1．理想 PN 模型 2．正向偏压特性 （1）非平衡少子在扩散区中的分布 1）边界少子浓度 在 P 区边界 处，电子和空穴的费米能级分别为 和 ，所以电子和空穴的浓度分别为： 又 ， 代入上式可得 同理可得，在 N 区边界 处，空穴的浓度为： 在 P 区边界 处，电子的浓度为： 其中 、 分别表示 P 区和 N 区的平衡少子浓度。 2）扩散区少子浓度分布 正向 PN 结向对方注入的少子往体内边扩散边复合，形成一个稳态分布。先分析 N 区少子空穴分布，少子空穴稳态扩散方程（一维，理想模型下）为： 表示由于扩散，x 处单位时间在单位体积内积累的空穴数（ 为空穴扩散系数） 表示 x 处单位时间单位体积内由于复合而消失的空穴数（ 为非平衡少子空穴的寿命） (*) 边界条件： 同理，可得注入 P 区的非平衡少子电子为： 解方程(*)，可得注入 N 区的非平衡少子空穴为： ：称为电子的扩散长度 ：称为空穴的扩散长度 其中： （2）正向 PN 结的电流转换和传输 上图表示出了正向 PN 结电流转换和少子分布示意图。在 N 型区的右侧区域，由于注入过来的非平衡少子空穴已经基本复合消失，空穴的扩散电流为零，流过的电流主要是多子电子的漂移电流（因为少子空穴的浓度很低，其漂移电流可忽略不计）。同样，在 P 型区的左侧区域，流过的主要是多子空穴的漂移电流。 在扩散区中，少子扩散电流和多子漂移电流将互相转换。N 型区中的电子，在外加电压的作用下，向边界 漂移，越过空间电荷区，经过边界 注入 P 区，然后向前扩散形成电子扩散电流，但在电子扩散区域 中，电子边扩散、边复合，不断与从左边漂移过来的空穴复合而转化为空穴漂移电流，直至注入电子全部复合掉，电子扩散电流全部转变为空穴漂移电流。 电子电流与空穴电流的大小在 PN 结附近扩散区域内的各处是不相等的，但两者之和始终相等。这说明电流转换并非电流的中断，而仅仅是电流的具体形式和载流子类型发生了改变，PN 结内电流是连续的。 同样，P 型区中的空穴，在外加电压的作用下，向边界 漂移，越过空间电荷区，经过边界 注入 N 区，在空穴扩散区域 中，空穴扩散电流通过复合转换为电子漂移电流。总之，经过上述过程，扩散区中的少子扩散电流都通过复合转换为多子漂移电流。 （3）PN 结正向电流－电压关系 由以上分析可知，PN 结内各处电流是连续的，则通过 PN 结的任意截面电流都一样。因此，只要求出空间电荷区与 N 区的交界面处的电子电流与空穴电流，它们的和就是流过 PN 结的总电流，即 =（ 处的电子漂移电流）+（ 处的空穴扩散电流） =（ 处的电子扩散电流）+（ 处的空穴扩散电流） = 在 处，空穴扩散电流密度为： 在 处，电子扩散电流密度为： 这就是著名的肖克莱方程式，是理想 PN 结模型的电流－电压方程式。 流过 PN 结的总电流为： ∴ （*） 讨论： ① 令 ，称为 PN 结二极管的饱和 电流，不随外加正向偏压而变化。所以方程式（*）可表示为： ② 在正向偏压下，正向电流随正向偏压呈指数关系迅速增大。在室温（300K）下， ，一般外加正向偏压约零点几伏，故 ，式（*）可以表示为： ③ 在讨论 PN 结特性时，往往把 写出以下几种变形 ④ 对于 结， ，因此 ，所以由式（*）可知， 结的正向电流近似为 同理对于 结