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要求高内阻输出， 采用电流反馈； 要求低内阻输出， 采用电压反馈。 若将电压信号变为电流信号 采用电流串联反馈； 若将电流信号源变为电压信号 采用电压并联反馈； 7.5 深度负反馈条件下的近似计算 1. 深度负反馈的特点 2. 举例 串联负反馈，输入端电压求和 深度负反馈条件下 xid= xi - xf ? 0 虚短 虚断 虚短 虚断 并联负反馈，输入端电流求和 vid= vi - vf ? 0 iid= ii - if ? 0 vid= iid ri ? 0 1. 深度负反馈的特点 步骤 （1）确定反馈类型 （2）确定净输入信号和类型 （3）计算 计算 深度负反馈放大电路的近似计算 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 1.符号及稳压特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 3.4.2 3.4.5 4.1 半导体三极管 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 共射极放大电路的工作原理 4.6 组合放大电路 三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。 放大,硅管 截止 饱和 - + 正偏 反偏 - + + - 正偏 反偏 + - 放大VcVbVe 放大VcVbVe 例1： 3. 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 3. 模型的简化 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe 即 rbe= hie ? = hfe uT = hre rce= 1/hoe 一般采用习惯符号 则BJT的H参数模型为 ? ? ib 是受控源 ，且为电流控制电流源(CCCS)。 ? 电流方向与ib的方向是关联的。 4.5.3 放大电路三种组态的比较 1.三种组态的判别 以输入、输出信号的位置为判断依据： 信号由基极输入，集电极输出——共射极放大电路 信号由基极输入，发射极输出——共集电极放大电路 信号由发射极输入，集电极输出——共基极电路 3. 三种组态的比较 电压增益： 输入电阻： 输出电阻： 3.三种组态的特点及用途 共射极放大电路： 电压和电流增益都大于1，输入电阻在三种组态中居中，输出电阻与集电极电阻有很大关系。适用于低频情况下，作多级放大电路的中间级。 共集电极放大电路： 只有电流放大作用，没有电压放大，有电压跟随作用。在三种组态中，输入电阻最高，输出电阻最小，频率特性好。可用于输入级、输出级或缓冲级。 共基极放大电路： 只有电压放大作用，没有电流放大，有电流跟随作用，输入电阻小，输出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好，常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合，模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。 4.5.3 放大电路三种组态的比较 end 4.1.2 4.3.8 4.3.9 4.3.11 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） 5.2 MOSFET放大电路 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 6 模拟集成电路 6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2 差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 6.5 实际集成运算放大器的主要参数 6.2.1 差分式放大电路的 2. 有关概念 差模信号 共模信号 差模电压增益 共模电压增益 总输出电压 其中 ——差模信号产生的输出 ——共模信号产生的输出 共模抑制比 反映抑制零漂能力的指标 6.2.1 差分式放大电路的一般结构 2. 有关概念 根据 有 共模信号相当于两个输入端信号中相同的部分 差模信号相当于两个输入端信号中不同的部分 7.1 反馈的基本概念与分类 7.3 负反馈放大电路增益的一般表达式 7.4 负反馈对放大电路性能的影响 7