第五章 微型计算机中的存储器.pptVIP

第五章 存储器 半导体存储器的分类及性能指标 RAM ROM 存储器的扩展 二、性能指标 存储器的职能就相当于计算机中各部分的“信息交换中心”和“数据仓库”。因此存储器的“速度”和“容量”便成为计算机系统性能的两项重要指标，也是推动存储器不断发展的两个主要因素。 1、存储容量 存储容量=单元数×数据位数 即字数×字长 通常以KB（210B）、MB （220B） 、GB （230B ）、TB （240B）为单位。 2、存取时间、存取周期 存取时间：CPU访问一次存储器所需的时间 存取周期：连续两次访问存储器所需最小间隔时间 3、可靠性 4、功耗 5、价格 5.2 随机存取存储器 5.2.1 SRAM 一、基本存储电路 基本存储电路简化图 由若干个存储单元可以组成一个芯片 二、SRAM的典型芯片 集成度高，但速度较慢，价格低，一般用作主存。 DRAM的基本存储单元是单个场效应管及其极间电容 必须配备“读出再生放大电路”进行刷新 每次同时对一行的存储单元进行刷新 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址 二、DRAM的典型芯片 说明： 存储地址需要分两批传送 行地址选通信号RAS有效，开始传送行地址 随后列地址选通信号CAS有效，传送列地址，CAS相当于片选信号 读写信号WE读/写有效 数据从DOUT引脚输出或从DIN引脚输入 三、DRAM芯片的刷新 刷新方式 集中刷新：在2ms时间内集中一段时间进行刷新，在这段时间内存储器不能进行读写操作，将这段时间称为死时间。 分散刷新：在几ms时间内每隔一段时间刷新一次。（需设刷新与读写选择电路，冲突时会增加读/写周期的时间） 异步刷新：在每一个指令周期中利用CPU不进行访问操作的时间进行刷新。 5.3 只读存储器ROM 5.3.1掩膜型ROM 信息制作在芯片中，不可更改 5.3.2可编程只读ROM 允许一次编程，此后不可更改 5.3.3 可擦除可编程只读ROM 一、基本存储电路 用紫外光擦除，擦除后可编程；并允许用户多次擦除和编程。 二、典型EPROM芯片 2764 5.3.4 电可擦除可编程只读ROM 采用加电方法在线进行以字节为单位擦除和编程，也可多次擦写。内设编程所需高压脉冲产生电路，可在线写入，但写入时间较长（10ms）。 一、 存储器与CPU的连接要考虑的问题 1 CPU总线的负载能力 CPU在设计时，一般输出线的直流负载努力为带一个TTL负载，现存储器都为MOS电路，直流负载很小，主要的负载是电容负载，故在小型系统中，CPU是可以直接与存储器相连的，而较大的系统中，就要考虑CPU能否带得动，需要时就要加上缓冲器，由缓冲器的输出再带负载。　 2 存储器的地址分配和片选 当多片存储器存在时，如何选片选信号。 3 CPU与存储器的时序配合问题 CPU的访存时间必须大于所用外部存储器的最大存取时间。 4 控制信号的连接 如： IO/M、RD、WR等 5 地址译码方式 线选译码 部分译码 全译码 五、 存储体与CPU的连接（8086最小模式） 例：用2K×8bit的6116组成8KB的存储体与8086CPU连接。 * * 半导体存储器 磁介质存储器（外存） 光存储器 双极型：存取速度快，但集成度低，功耗大、成本 高，一般用于大型计算机或高速微机中； MOS型 掩膜ROM 一次性可编程PROM 紫外线可擦除EPROM 电可擦除E2PROM 可编程只读存储器FLASH 读写 存储器 RAM 只读 存储器 ROM （按读写功能分类)（内存） （按器件原理分类） 静态SRAM 动态DRAM： 集成度高但存取速度较低， 一般用于需要较大容量的场合。 集成IRAM：将刷新电路集成在DRAM内 速度较快，集成度较低，功耗较高，一般用于对速度要求高、而容量不大的场合。 (按存储原理分类) 按 存 储介质分类 5.1半导体存储器的分类及性能指标 一、半导体存储器分类 行选择线 T1 T2 A B T3 T4 +5V T5 T6 C D 列选择线 T7 T8 I/O I/O T1和T2组成一个双稳态触发器，用于保存数据。T3和T4为负载管。 如A点为数据D，则B点为数据/D。 行选择线有效（