第四章光刻(精编).ppt

第四章 光 刻 理学院 刘德雄 2011年3月6 本章主要内容 Photolithography(光刻) 掌握 光刻胶的组成 +PR 和 –PR的区别 描述光刻工艺的步骤 四种对准和曝光系统 Explain relationships of resolution and depth of focus to wavelength and numerical aperture. 光刻概述 Photolithography 临时性地涂覆光刻胶到硅片上 转移设计图形到光刻胶上 IC制造中最重要的工艺 占用40 to 50% 芯片制造时间 决定着芯片的最小特征尺寸 IC Fabrication 光刻需要 高分辨率 High Resolution 光刻胶高光敏性 High PR Sensitivity 精确对准 Precision Alignment 精确的工艺参数控制 Precise Process Parameters Control 低缺陷密度 Low Defect Density Photoresist－ PR－光刻胶 光敏性材料 临时性地涂覆在硅片表面 通过曝光转移设计图形到光刻胶上 类似于照相机胶片上涂覆的光敏材料 Photoresist Negative and Positive Photoresists Photoresist Composition光刻