3-非线性元件伏安特性测量-2精选.pptVIP

物理实验设计与应用（高中） 朱炯明 上海师范大学 数理信息学院 我们的实验室 物理实验设计与应用 三 非线性元件伏安特性测量及发光二极管应用 四 温度传感器的温度特性测量及应用 五 光敏传感器的光电特性测量及应用 非线性元件伏安特性 发光二极管 目的要求 实验仪器 实验原理 实验内容 思考题 目的要求 ⑴ 掌握非线性元件伏安特性的测量方法、基本电路、误差计算 ⑵ 掌握普通二极管、稳压二极管、发光二极管的基本特性。准确测量其正向导通阈值电压、反向击穿电压，根据发光二极管的正向工作电压估算出它的峰值波长 ⑶ 画出以上三种元件的伏安特性曲线 实验仪器 非线性元件伏安特性实验仪 的组成： 直流稳压电源 数字电压表 数字电流表 可变电阻器 普通二极管、稳压二极管、发光二极管 待测电阻 等 实验原理 1. 伏安特性 2. 半导体二极管 3. 稳压二极管 4. 发光二极管 ( LED ) 1. 伏安特性 (1) （1）给一个元件通以直流电，用电压表测出元件两端的电压，用电流表测出通过元器件的电流。以电压为横坐标、电流为纵坐标，画出电流和电压的关系曲线，称为该元件的伏安特性曲线。这种研究元件特性的方法称为伏安法 1. 伏安特性 (2) （2）伏安特性曲线为直线的元件称为线性元件，如电阻 （3）伏安特性曲线为非直线的元件称为非线性元件， 如二极管、三极管等 1. 伏安特性 (3) （4）伏安法的主要用途是测量研究线性和非线性元件的电特性 （5）有些元件伏安特性除了与电压、电流有关，还与某一物理量的变化呈规律性变化，例如温度、光照度、磁场强度等，这就是各种物理量的传感元件 1. 伏安特性 (4) 根据欧姆定律，电阻 R、电压 U、电流 I, 关系为 R = U / I 由电压表和电流表的示值计算可得待测元件的阻值 非线性元件的 R 是一个变量，分析它的阻值必须指出其工作电压（或电流） 非线性元件的电阻有两种方法表示 RD —— 静态电阻（或称为直流电阻） rD —— 动态电阻，等于工作点附近的电压改变量与电流改变量之比 1. 伏安特性 (5) 图中 Q 点的 静态电阻 RD = UQ / IQ 动态电阻 rD = △U / △I 2. 半导体二极管 半导体二极管是一种常用的非线性元件 由 P 型、N 型半导体材料制成 PN 结 经欧姆接触引出电极封装 两个电极分别为正极、负极 二极管的结构 2. 半导体二极管 二极管的电流 I 和电压 U 满足下式 I = Is(e qU/kT –1) 在常温条件下，且 U 0.1V 时，可近似为 I = Ise qU/kT q = 1.602 × 10 -19 C 电子电量 k = 1.381 × 10 -23 J/K 玻尔兹曼常数 T 绝对温度 Is 反向饱和电流 e = 2.71828 自然常数 2. 半导体二极管 二极管的主要特点是单向导电性 伏安特性曲线 UD正向导通阈值电压 Is 反向饱和电流 UB 反向击穿电压 2. 半导体二极管 正向电压和反向电压较小时，电流都较小 正向电压加大到某一数值 UD 时，正向电流明显增大 随着电压加大，电流急剧增大，伏安曲线趋近一直线，将此段直线反向延长与横轴相交，交点UD称做正向导通阈值电压 硅二极管 UD = 0.6 ~ 0.8 V，锗二极管 UD = 0.2 ~ 0.3 V 反向电压较大时，电流趋近极限值 Is ，反向饱和电流 反向电压超过某一数值 UB 时，电流急剧增大，这种情况称做击穿，UB 称做反向击穿电压 2. 半导体二极管 主要参数 正向导通阈值电压 UD 最大整流电流 If 即二极管正常工作时允许通过的最大正向平均电流 最大反向电压 Ubr 一般取反向击穿电压 UB 的一半 反向电流 Ir 在漏电流可以忽略时，是反向饱和电流 Is 的额定值 2. 半导体二极管 应用：（二极管具有单向导电性）常用于 整流 检波 限幅 元件保护 以及在数字电路中作为开关元件 等 3 稳