关于发光材料的认2003关于发光材料的认2003.pptVIP

图为团簇模型[Ca(1)N5]-13和[Eu(1)N5]-13， (b) [Ca(2)N6]-16和[Eu(2)N6]-16的MO能级和总能态密度、分能态密度 对于金属，绝对零度下，电子占据的最高能级就是费米能级。 左边为价带，右边为导带，分别有价带顶和导带底，之间为带隙。 导带是由自由电子形成的能量空间。即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。 导带底是导带的最低能级，可看成是电子的势能，通常，电子就处于导带底附近；离开导带底的能量高度，则可看成是电子的动能。 价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。但若该电子受到光照，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。价带中电子的自由运动对于与晶体管有关的现象是很重要的。 电子由价带跃迁到导带，通过吸收能量，再返回到基态以光的形式释放能量。 带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，因此电子可以更容易地从占据的MOs轨道迁移到未被占据的MOs轨道，但是发光效果却不会明显，所以Eu2+的光电离过程以及吸收的能量主要迁移到基质，而不是Eu2+的激活离子上。因此，EuCa（2）对于猝灭Eu2+的发光发挥了关键作用。 猝灭：由于某些原因使材料发光材料发生非辐射跃迁，从而降低了发光效率。有热猝灭、浓度猝灭等。 浓度猝灭是当激活离子浓度较大时，中心间的距离小于临界距离，他们就会产生级联能量传递，即从一个中心传递到下一个中心，再到下一个中心……能量发生迁移，知道最后进入一个猝灭中心，导致发光猝灭。所以在我们做的实验中会有一个浓度梯度，并预计会有一个发光强度先增加后降低的趋势。 在较小的掺杂格位上，更容易发生发光猝灭，因为较小的空间里，浓度更易达到临界值。所以实验中有人会通过掺杂一些物质来增大原子间的距离。如，我的外文里，把AlN掺杂到CaSiN2晶格中，Al部分替代Si生成（Si,Al）---N键，以增大结构中的原子间距离，从而扩大CaAlzSiN2+:Eu2+中EuCa-EuCa的距离 漫反射谱图 图为Ca1-xEuxSiN2(x=0，0.001和0.005)和Ca2Si5N8的漫反射谱图 在这里介绍一个论文中可能会遇到的名次—基本吸收边，即反射曲线的切线延长线与横轴形成的交点，它的能量为1024/波长，从漫反射图中可以观察到通过增加Eu2+的浓度，Eu2+的吸收强度会进一步加强 我的工作：Sr8MgLa(PO4)4:Eu3+ 测定XRD： 物相分析：定性分析、定量分析 晶体结构分析：晶体对称性（空间群）的测定或者是点阵常数（晶胞参数）测定 晶体粒度测定 晶体定向 确定材料由哪些物质组成即物相定性分析 制备各种标准单相物质的衍射花样并使之规范化（PDF卡片），将待分析样品的衍射花样与之对照，从而确定物质的组成相 确定各组成的含量即物相定量分析，常以体积分数或者质量分数表示 比较4条谱线可知，谱线(1)，(2)在14．50，19．6。，28．9。，38．86。，52．3。等处分别出现一些衍射峰，其位置与粉末衍射卡(PDF)中的LaP04·0.5H20标准谱图中的一些特征峰相吻合，说明产物内部存在结晶水。分别对样品进行高温煅烧，处理后(谱线(3)， (4)的衍射峰位置与PDF卡中的各条谱线相吻合，说明两种形貌的LaPO4：Eu3+样品经热处理后均为单斜晶型结构，只有单纯LaPO4相的存在，没有La203，以及其他杂质相的存在。对比谱线(1)，(3)可知，高温煅烧处理前后样品晶型未发生改变，只是热处理后的峰型更加尖锐，说明结晶更加完全，晶体结构更加稳定。 测定荧光光谱 用荧光光谱仪测定样品的 1.荧光激发光谱和荧光发射光谱 2.同步荧光（波长和能量）扫描光谱 3.荧光寿命的测量 测紫外漫反射光谱 用紫外可见分光光度计测定吸收光谱的方法有两种：投射法和反射法 测定紫外漫反射，以硫酸钡作为参比物 应用1.研究固体的表面吸附，物理吸附的结果是使吸附分子发生变形，形成诱导的不对称性，使分子的极性发生变化，在吸附光谱中就会出现谱带的位移；而化学吸附的结果则使被吸附分子的结构发生变化，从而在吸收光谱中出现新的谱带。 应用2.研究固体物质之间的反应 各种物质间形成了什么物质，是化合物还是单质，可以通过漫反射光谱来确定 测红外光谱 用红外光谱仪测定，利用物质对不同波长的红外辐射的吸收特性，进行分子结构和化学组分分析。当样品吸收了一定频率的红外辐射后，分子的振动能级发生跃迁，透过的光束中相应频率的光被减弱，造成参比光路与样品光路相应辐射的强度差，从而得到所测样品的红外光谱。 红外光谱可以研究分子的结构和化学键，如力常数的测定和分子对