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- 2016-12-24 发布于重庆
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* 超晶格材料 冯澎 参考文献: 夏建白:超晶格物理,(科学出版社,1995)。 李铭复:半导体物理学, (科学出版社,1991)。 超晶格材料 超晶格(superlattices) 概念是1969年由Esaki和Tsu 提出的 L.Esaki and R. Tsu, IBM J. Res. Develop., 14, 61(1970) 两种或两种以上的物质交替周期性地生长而成的层状材料 称为超晶格材料。 GaAs AlGaAs GaAs AlGaAs GaAs 如GaAs/AlGaAs 超晶格材料。 不仅半导体能 形成超晶格材料,金属也能 形成超晶格材料,如 Mn/Zn超晶格材料。 引言 冯澎 一.超晶格概念 二.制备方法 1. 分子束外延技术MBE Molecular beam epitaxy 2. 金属有机化合物汽相沉积技术(MOCVD) Matal organic compound chemical vapor deposition 三. 超晶格材料性质 GaAs AlGaAs GaAs AlGaAs GaAs 以GaAs/AlGaAs超晶格为例 (1)在垂直于界面方向电子运动受限。 (2)GaAs层中电子浓度较高,电子 在平行界面方向迁移率较大 v电子速度, E电场强度, 电子迁移率。 (3)界面效应比较明显。 (4)低温时出现量子Hall效应,电子气体出现复杂的相,
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