集成电路实验报告HSPICE.docVIP

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  • 2016-12-25 发布于重庆
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集成电路原理实验报告 电子信息学院 班级:XXX 姓名:XXX 学号:XXX 2012 年6月 实验一 CMOS反相器特性仿真 1. 实验目的 (1)掌握CMOS反相器的工作原理,会仿真该电路的直流、交流和瞬态特性。 (2)掌握PSPICE工具的使用,包括晶体管模型的导入,设计和分析流程。 2.实验仪器或材料   PC机、PSPICE8.0 EDA工具、CSMC-6S06DPDM工艺晶体管模型。 3.实验过程  (1)CMOS反相器直流特性仿真 输入和编辑CMOS反相器原理图,设置仿真属性,验证逻辑功能、电压及电流传输特性。 电压及电流传输特性 (2)CMOS反相器开关特性仿真 输入和编辑CMOS反相器原理图,改变负载电容电容值,观察波形上升、下降时间及延迟时间; 结果:管子尺寸不变,调节电容使得cmos电路充放电时间相等,p管(0.6/50)n管(0.6/20),充放电电容为11.5pf,充放电时间约为137us 负载电容电容值不变,改变PMOS、NMOS管的宽长比,观察波形上升、下降时间及延迟时间。 结果:负载电容电容值不变,改变PMOS、NMOS管的宽长比时间。 实验二  芯片逆向设计——电路提取 1. 实验目的 (1)掌握芯片逆向设计的一般流程。 (2)掌握常用数字单元电路提取方法。 2.实验仪器或材料  正置式反相金相显微镜、CCD摄像头、投影仪、腐蚀后的74HC00芯片。 3.实验过程 芯片逆向设计的一般流程  (1)芯片引脚图     (2)芯片焊盘布图提取 ()VDD、GND布局布线提取 ()输入保护电路提取 ()内部逻辑提取 (6)1/4芯片内部结构图

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