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Chapter 3 Single-Crystal Growth Wafer Preparation 硅单晶的生长与硅片加工 本章重点掌握： 1、什么是CZ-Si、FZ-Si、MCZ-Si、NTD-Si？基本工艺原理、材料特点和用途？ 2、GaAs等化合物半导体材料生长的工艺特点？ 3、什么是分凝效应？对材料工艺有什么影响？ 4、NTD-Si的制备中，高纯Si在反应堆中经热中子辐照后，为什么还要进行退火处理？ 5、晶片的加工的主要工艺流程是什么？ 6、什么是杂质吸出工艺？什么是氧内吸出工艺？期工艺原理和工艺过程是什么？ 7、材料参数测量？ 3.1 Phase Diagram —Phase-change, Solid Solubility Segregation 相图—相变、固溶度与分凝 3.1.1Phase Diagram (9-12页） 基本性质 Lever rule（杠杆法则） 相律 P+F=C+2 P:系统中的相数 F:自由度 C:组元数 三相点 无限互溶（F 2.3） 3.1.2 Impurity Solid Solubility (12页、p.12-阅读） 最大固溶度 Frozen-in Precipitation Quenching 3.1.3 Phenomenon of Segregation (13页、p.25） Equilibrium Segregation Coefficient k=CS/CL , ( k=CS1/CS2，or *** ) 3.2 高纯多晶硅的制备 地球上最多的元素是Si， 化合物是石英砂（SiO2）， 与焦碳混合，在电炉中还原（1600~1800°C） 可以获得95~99%的工业粗硅（冶金级硅）。 MGS（Metallurgical Grade Silicon） SiO2+2C=Si+2CO↑ 1、硅粉的酸洗 HCl、王水、（HF+H2SO4）、蒸馏水 2、中间化合物的精馏提纯与高纯多晶硅的还原 1）三氯氢硅法 （SiHCl3，trichlorosilanes—TCS） 合成 Si+3HCl←→SiHCl3+H2 通过控制温度、气压等，抑制SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl、SiH4的产生 3、冷凝器， 4、回流管， 5、出料口 还原（氢还原） SiHCl3+H2—1100~1200C→Si+3SiCl4+2H2 还原过程中的各种不完全 反应尾气化合物将影响纯度 2）硅烷法（SiH4） a）合成法： SiCl4+4LiH→SiH4↑+4LiCl b）硅化镁分解法： 2Mg+Si →Mg2Si Mg2Si+4NH4Cl —液NH3→SiH4 ↑ +2MgCl+4NH3 硅烷热分解 SiH4—900C→Si+2H2 三氯氢硅法较经济 效率高；９Ｎ 硅烷法成本高，纯度高 基B的残留！ 3.3单晶硅的生长 3.3.1 Czochralski (切克劳斯基）Growth （直拉法单晶生长，Cz-Si） 1、原理：在适当的温度梯度、气压下，熔融的硅在高度完美的籽晶（Seed）的旋转牵引下可控地生长。 2、Cz-Si生长工艺：（16-17页） 工艺控制： 缩颈(Necking)；零位错生长 温度场的分布；（缺陷、杂质、二次热缺陷） 旋转速率；（温度场的均匀、杂质均匀） 提升速率；（直径、缺陷、应力） 弯月面的控制；（生长测控的特征面） 气场的控制；（缺陷、杂质） 3、杂质分布的控制： 1) 杂质的掺入, (高掺杂Si) ?：0.001~100 ?cm 2) Segregation：17~20页；P23~24 生长附面层与有效分凝系数 公式（2-11），Eq.(2-13) 例2-1（20页） g=单晶硅重量/初始熔硅重量 g=0，0.1，0.5，0.8； C0=1x1015 atoms/cm3， ?（B）=15.3，14.98，13.3，11.1， ?（P）=14.4，13.4， 9.72，4.46， 3) O、C的控制 来源：？ 检测：FTIR 改善：MCz （P25~27） 66页图3-17 同时也改善横向均匀性 通常：O：~1018 cm-3