材料的电导性能.pptVIP

电流是电荷在空间的定向运动。 任何一种物质，只要存在带电荷的自由粒子——载流子，就可以在电场下产生导电电流。 金属中： 自由电子 无机材料中： 电子（负电子/空穴）——电子电导 离子（正、负离子/空穴）——离子电导 (2)迁移率和电导率的一般表达式 物体的导电现象，其微观本质是载流子在电场作用下的定向迁移。 题： 一电子电导材料载流子是电子，载流子密度即单位体积的电子数为 n=1.0×1018cm-3, 在两端加一E=10v.cm-1的电场强度，若电子的运动速度为n=1.0×104cm.s-1，求： 单位时间内通过单位横截面积的电荷数J； 已知电子的运动速度和电场强度成正比，定义载流子的迁移率m为单位电场下，载流子的运动速度，求迁移率m ； 单位电场下，单位时间内通过单位横截面积的电荷数，即电导率s ； 根据载流子密度和载流子迁移率，求电导率 。 解: (1) J=nqn =1.0×1018cm-3×1.6×10-19C×1.0×104cm.s-1 =1.6×103C. cm-2.s-1= 1.6×103A. cm-2 (2) m = n/E =1.0×104cm.s-1/(10v.cm-1)=1.0×103cm-2. v-1.s-1 (3) s=J/E = 1.6×103A. cm-2 /(10v.cm-1) =160A.v-1. cm-1 =160S. cm-1 　　(4)　s=J/E=nqn/E=nq m =1.0×1018cm-3×1.6×10-19C× 1.0×103cm-2. v-1.s-1 = 160A.v-1. cm-1=160S. cm-1 (2)迁移率和电导率的关系 电子电导的特征是具有霍尔效应。 沿试样x轴方向通入电流I(电流密度Jx),z轴方向上加一磁场Hz,那么在y轴方向上将产生一电场Ey,这种现象称霍尔效应。 ? 离子电导的特征是具有电解效应。 利用电解效应可以检验 材料是否存在离子导电 可以判定载流子是正离子还是负离子 4.2 离子电导 参与电导的载流子为离子，有离子或空位。它又可分为两类。 本征电导：源于晶体点阵的基本离子的运动。离子自身随着热振动离开晶格形成热缺陷。 从而导致载流子，即离子、空位等的产生，这尤其是在高温下十分显著。 杂质电导：由固定较弱的离子（杂质）的运动造成，由于杂质离子是弱联系离子，故在较低温度下其电导也表现得很显著。 固有电导(本征电导)中，载流子由晶体本身的热缺陷提供。 低温下：kTE，故N较低。只有在高温下，热缺陷的浓度才明显增大，因此， 本征电导在高温下才会显著地增大。 （2）杂质电导的载流子浓度 杂质电导（extrinsic conduction）的载流子浓度决定于杂质的数量和种类。由于杂质的存在，不仅增加了载流子数，而且使点阵发生畸变，使得离子离解能变小。在低温下，离子晶体的电导主要是杂质电导。 4.2.2 离子迁移率 离子电导的微观机构为载流子 ─ 离子的扩散。间隙离子处于间隙位置时，受周边离子的作用，处于一定的平衡位置(半稳定位置)。如要从一个间隙位置跃入相邻间隙位置，需克服高度为U0的势垒完成一次跃迁，又处于新的平衡位置上。这种扩散过程就构成了宏观的离子“迁移”。 由于U0相当大，远大于一般的电场能，即在一般的电场强度下，间隙离子单从电场中获得的能量不足以克服势垒进行跃迁，因而热运动能是间隙离子迁移所需能量的主要来源。 加上电场后，由于电场力的作用，使得晶体中间隙离子的势垒不再对称。正离子顺电场方向，“迁移”容易，反电场方向“迁移”困难。 4.2.3 离子电导率 (1)离子电导率的一般表达方式 σ=nqμ 如果本征电导主要由肖特基缺陷引起，其本征电导率为： Ws－可认为是电导的活化能，它包括缺陷形成能和迁移能。电导率与之具有指数函数的关系。 若有杂质也可依照上式写出： 一般A2A1，但B2B1，故有exp(-B2)exp(-B1)这说明杂质电导率要比本征电导率大得多。 (2)离子性质及晶体结构 关键点：电导率随着电导活化能指数规律变化，而活化能大小反映离子的固定程度，它与晶体结构有关。熔点高的晶体，活化能高，电导率低。 a)离子半径：一般负离子半径小，结合力大，因而活化能也大； b)阳离子电荷，电价高，结合力大，因而活化能也大； c)堆积程度，结合愈紧密，可供移动的离子数目就少，且移动也要困难些，可导致较低