自动检测技术及应用第3版作者武昌俊主编第七章课件.pptVIP

第七章 霍尔传感器及应用 一、霍尔元件的主要特性参数 二、霍尔元件的误差 １）零位误差　不等位电动势 　　　　　　　寄生直流电动势 　　　　　　　感应零电动势 　　　　　　　自激场零电动势 ２）温度误差 注意：不等位电动势是霍尔零位误差中最主要 　　　的一种。 * * 霍尔元件的结构及工作原理 霍尔元件的特性参数及误差 霍尔集成电路 本章内容 霍尔传感器的应用 §1 §3 §2 §4 §1 霍尔元件的结构及工作原理 金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场（磁场方向垂直于薄片）中，如图7-1所示。当有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH，这种物理现象称为霍尔效应。 当|FL|＝|FE|时,电子的积累达到平衡。这时在半导体薄片的前后端面之间建立的电势就是霍尔电动势UH，其大小可用下式表示: 由于外磁场B的存在，将使电子受到洛仑兹力FL 后端面带负电，前端面带正电 一、霍尔效应的工作原理 霍尔电动势的大小正比于输入电流I和磁感应强度B 。 KH与组件材料的性质和几何尺寸有关 ,在实际应用中，一般都采用N型半导体材料做霍尔元件。 当磁感应强度B和霍尔元件平面法线成一角度θ时，作用在霍尔元件上的有效磁场是其法线方向的分量（即Bcosθ）。 RH——霍尔常数（m3/C） I——控制电流（A） B——磁感应强度（B) d—霍尔元件的厚度（m） 二