掺杂工艺小结课件.pptVIP

4.离子注入 掩膜选取：离子注入在常温进行，所以光刻胶、二氧化硅薄膜、金属薄膜等多种材料都可以作为掩膜使用。要求掩蔽效果达到99.99%。 防止沟道效应方法：硅片偏转一定角度；隔介质膜注入 浅结工艺：分子注入BF2；降低注入能量E0；预非晶化，先注入Si+、Ge、Sb 浅结目的：抑制MOS晶体管的穿通电流，减小器 件的短沟效应----因此要求减小CMOS源/漏结的结深 结束 掺杂工艺小结 —— 扩散与离子注入 微电子工艺 1.概述 掺杂工艺要实现在衬底上的定域、定量的掺杂 包括扩散和离子注入 两种掺杂工艺各有优缺点 在掺杂前先通过氧化和光刻在衬底表面制备氧化层掩膜 2.对比 扩散为准热力学平衡过程，所以受固溶度的限制 离子注入为非热力学平衡过程，不受固溶度的限制 扩散工艺温度高，为900-1200 ℃ 离子注入温度低，在室温或400℃以下，但退火时所需温度较高，一般在800℃以上 扩散工艺对杂质的控制能力低 离子注入对掺杂浓度和分布的控制力较好，适合浅结掺杂及对浓度及分布要求较高的场合 2.对比 扩散工艺的横向效应严重，相对而言，离子注入要好得多 离子注入会导致晶格损伤 离子注入可实现对化合物半导体的掺杂 两种工艺各有千秋，通常将两者混合使用，即采用离子注入将定量杂质射入衬底表面，再通过扩散将杂质推入内部，形成所需分布（和扩散工艺中先恒定表面源扩散，再限定