* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Etching result An ion beam milled set of tracks in Si. The photoresist is still in place. Notice the accurate pattern transfer from the mask into the Si, and also that the photoresist mask is beginning to show signs of damage and wear. * Chapter8 Polymer 正性与负性光刻胶 光刻胶 - 光致抗蚀剂 (photoresist) 正性光刻胶-光致可溶(易溶) 负性光刻胶-光致不溶(难溶) 正性光刻胶 光致增溶机理 * Chapter8 Polymer * 邻重氮萘醌 + 线性酚醛环氧 Chapter8 Polymer 酸增殖反应 光照下光产酸剂分解出H+, 然后H+催化保护基团的脱落,同时产生H+,后者又可以作为催化剂,如此不断循环,使酸浓度越来越高 * Chapter8 Polymer 负性光刻胶 机理:光致耦合、交联等; 代表类型:聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶-多叠氮体系、水性光刻胶等 * Chapter8 Polymer
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