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第五章 半导体物理基础复习 深圳大学 光电工程学院 能带 载流子分布的规律 掺杂 能带图及pn结的电流电压特性 载流子的复合与发光 异质结与化合物半导体 双异质结构 量子阱 1、晶体结构 半导体是由一种(或几种)原子周期性规则排列而成的晶体材料 晶体的结点其总体称为点阵 过结点可以作许多平行的直线轴—晶向/晶向族,以（XXX）表示 过结点可以作许多平行的面--晶面/晶面族，以{XXX}表示 晶格周期性的最小重复单元称之为原胞。 常用半导体材料的结构 常用半导体材料的特性 GaAs： 垂直于三个晶轴x、y、z的六个平面是等价的{100}晶面（族） 包含Ga原子和As原子的对角平面构成四个等价的{110}晶面（族） 晶胞切割As原子的三角形构成八个等效的{111}晶面（族） {111}面上有排列有原子As或Ga原子之分，故称排列As原子的{111}面为{111}A面，而排列Ga原子的为{111}B面 特性： {110} 晶面之间的面间距最大，原子之间的键合力最弱，最容易沿此晶面断裂开，形成GaAs晶体的自然解理面---半导体激光器理想的谐振腔面 不同晶面（包括{111}A面和{111}B面）具有不同的化学势，不同的化学活泼性。在制造半导体激光器的工艺过程中会影响到化学腐蚀速率和外延生长速率 ---选择性腐蚀