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AC-DC常用拓扑介绍 欢迎大家批评指正 BMP/CP测试室 AC-DC常用拓扑介绍 PFC常用拓扑 DC/DC主电路常用拓扑 PFC常用拓扑 PF=有功功率/视在功率=I1COSΦ/Itotal。 单相APFC应用最为广泛的拓扑为BOOST。 主要实现两个功能：1、功率因数的校正（一般大于90%）；2、在输入电压大范围变化时（90~264V） ，保持输出母线的稳定（一般为390V）。 我司常用的拓扑为峰值电流型DCM/CCM临界连续和平均电流型CCM两种。 DCM/CCM 拓扑原理图 DCM/CCM拓扑波形图 DCM/CCM的基本实现思想（1） 基本实现思想是峰值电流控制和零电流检测。 检测电感电流，与基准相比较，当电流达到正弦基准电流（为输入电压信号与电压环误差放大器输出的乘积） 时，产生一个关断MOSFET信号，随之电感电流下降；当电路检测到电感电流过零时，产生一个开通MOSEFT信号，从而保持电感电流始终工作于连续和断续的临界状态。 DCM/CCM的基本实现思想（2） MC33368内部控制示意图。 DCM/CCM的基本实现思想（3） 由于电压误差放大器的增益带宽为10-20Hz，远小于输入全波整流电压的频率100Hz，且输出母线基本稳定，所以电压误差放大器的输出Ve基本恒定。这样，Ve与输入全波整流电压Vac相乘所得的电流基准信号Iref就是一个与Vac 相似的正弦信号。因此电感电流的峰值跟随Iref即Vac变化，当处于临界状态时，电感电流的平均值就是一个与Vac 相似的正弦电流。在交流输入端接入一个差模电感L101，通过L101和C119将PFC电感的峰值电流滤为平均值，就可在输入端实现功率因数校正。 DCM/CCM的优缺点 优点：因为500V以上的快恢复二极管存在反向恢复，会带来二极管电压应力、MOS开通损耗、EMC等一系列问题。DCM/CCM使二级管的电流过零关断，可消除其反向恢复损耗和寄生振荡。 主要缺点：电流不连续意味着输入电流脉动大、电流有效值大，电感、MOS导通损耗增加。变频控制意味着电感、EMC设计难度加大。 DCM/CCM的实际考虑 1、峰值检测关断容易引入干扰。为了克服功率管开通时的电流检测信号噪声，芯片一般带有Leading Edge Blanking功能，防止超过峰值电流基准而导致功率管误关断。但是LEB引入又会带来最小导通时间（1uS以上）的问题。2、 ZCD的检测通常是通过电感两端电压小于某个值而实现的，在高压输入（大于280V）的峰值处，很容易满足该条件，导致开关管关断后立即导通。引起电感激磁不平衡，电感电流连续甚至电感饱和，电感峰值电流过大的问题。 平均电流控制的CCM拓扑原理图 平均电流控制的CCM拓扑波形图 平均电流控制CCM的基本实现思想（1） 基本实现思想是电压外环、电流内环的双环控制。它用电流误差放大器替代前面讨论的峰值控制中的电流比较器，形成电流内环。通过误差放大器，输入电流的高频分量被平均化处理，平均电流误差信号与锯齿波比较后形成控制开关通断的PWM信号。 电流内环的基准除了输出电压误差放大信号与输入整流电压信号的乘积以外，还需要除去输入电压全波整流后的有效值平方。电压前馈的目的是为了提高控制系统对输入电压变化的动态响应速度，对于宽输入电压范围和输入波动较大的应用场合很有必要。 平均电流控制CCM的基本实现思想（2） 3854的内部控制示意图。 平均电流控制CCM的优缺点 优点：1、相应峰值控制而言，输入电流峰值和有效值小；2、抗干扰的能力强；3、定频控制。 缺点：1、相应峰值电流控制，多了电流内环的设计。需要在稳定性裕量和PF值之间折中。 2、二极管的反向恢复。以前解决该问题有很多想法和思路，一般都会带来器件增加和控制复杂。目前，高压快恢复二极管的发展，特别是SIC工艺的出现，可能会使这一主要缺点自然得到改善。 平均电流控制CCM的实际考虑 1、高温下，二极管的应力会随着反向恢复电流的增加而急剧增大。测试必须考虑高温带来的影响。 2、输入电压前馈需要二级滤波才到除法器。在输入电压大范围波动时（比如90~264VAC），前馈作用存在滞后效应，PFC母线电压会跟随输入电压而变化，导致输出跌落或过冲。 AC-DC常用拓扑介绍 PFC常用拓扑 DC/DC主电路常用拓扑 DC-DC主电路常用拓扑 反激 单正激 双正激拓扑 对称半桥拓扑 推挽拓扑 移相全桥拓扑 反激电路的基本形式 反激电路的基本波形 反激电路的实际考虑（1） 反激电路的实际考虑（2） DC-DC主电路常用拓扑 反激 单正激 双正激拓扑 对称半桥拓扑 推挽拓扑 移相全桥拓扑 单正激拓扑的基本电路