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PN结正向压降温度特性及正向伏安特性的研究
PN结作为最基本的核心半导体器件,得到了广泛的应用,构成了整个半导体产业的基础。在常见的电路中,可作为整流管、稳压管;在传感器方面,可以作为温度传感器、光敏二极管等。研究和掌握PN结的特性具有重要的意义。
单向导电性是PN结最基本的特性。本实验通过测量正向电流和正向压降的关系,研究PN结的正向特性。由可调微电流源输出一个稳定的正向电流,测量不同温度下的PN结正向电压值,以此分析PN结正向压降的温度特性、测量玻尔兹曼常数,估算半导体材料的禁带宽度,以及估算通常难以直接测量的极微小的PN结反向饱和电流。
【实验目的】
在恒定温度条件下,测量正向电压随正向电流的变化关系,绘制伏安特性曲线。
在恒定电流条件下,测绘PN结正向压降随温度的变化曲线,确定其灵敏度,估算被测PN结材料的禁带宽度。
学习指数函数的曲线回归的方法,并计算出玻尔兹曼常数,估算反向饱和电流。
探究:用给定的PN结测量未知温度。
【实验原理】
(一)PN结的正向特性
由半导体物理学可知
式是通过PN结的正向电流Is是反向饱和电流在温度恒定为常数T是热力学温度,是电子的电荷量,为PN结正向压降。由于在常温(300K)时,≈0.026V,而PN结正向压降约为十分之几伏,则1,括号内-1项完全可以忽略,于是有: (1)
Is为反向饱和电流,它是一个和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数,可以证明:
(2)
其中C是与结面积、掺质浓度等有关的常数;Vg(0)为绝对零度时PN结材料的导带底和价带顶的电势差,Vn是与温度有关的非线性项。
式(2)就是PN结正向压降作为电流和温度函数的表达式,它是PN结温度传感器的基本方程。如令IF=常数,则正向压降只随温度而变化,注意到在方程(2)中,除线性项VT外还包含非线性项Vn所引起的非线性误差。不过,在小电流、窄温区的情况下,非线性误差非常小,可以忽略,但是当温度变化范围增大时,VF温度响应的非线性误差将有所递增。
综上所述,在恒定小电流条件下,PN结的VF对T的依赖关系主要取决于线性项VT,即正向压降几乎随温度升高而线性下降,这就是PN结测温的理论依据。
(二)求PN结温度传感器的灵敏度,测量禁带宽度
由前所述,我们可以得到一个测量PN结的正向压降VF与热力学温度T关系的近似式:
(3)
式中S(mV/℃)为PN结温度传感器灵敏度。
用实验的方法测出VF~T变化关系曲线,其斜率即为灵敏度S。在求得S后,根据式(3)可知:
(4)
从而可以求出温度0K时半导体材料的近似禁带宽度。硅材料的约为1.21eV。
必须指出,上述结论仅适用于杂质全部电离、本征激发可以忽略的温度区间(对于通常的硅二极管来说,温度范围约-50℃—150℃)。如果温度低于或高于上述范围时,由于杂质电离因子减小或本征载流子迅速增加;VF—T关系将产生新的非线性,这一现象说明VF—T的特性还随PN结的材料而异,对于宽带材料(如GaAs,Eg为1.43eV)的PN结,其高温端的线性区则宽;而材料杂质电离能小(如InSb)的PN结,则低温端的线性范围宽。对于给定的PN结,即使在杂质导电和非本征激发温度范围内,其线性度亦随温度的高低而有所不同,这是非线性项Vn引起的,一般上VF-T线性度在高温端优于低温端,这是PN结温度传感器的普遍规律。
(三)求玻尔兹曼常数
由式(1)可知,在保持T不变的情况下,只要分别在不同电流IF1、IF2下测得相应的VF1、VF2就可求的玻尔兹曼常数k。
(5)
这种方法由于只测量两组数据,故而操作简单便捷,但也存在随机误差大的弊病。为了提高测量的精度,通常根据式(1)指数函数的曲线回归,求得k值。方法是以公式的正向电流IF和正向压降VF为变量,根据测得的数据,用Excel进行指数函数的曲线回归,求得A、B值,再由A=IS求出反向饱和电流,B=q/kT求出玻尔兹曼常数k。
在实际测量中,二极管的正向F—VF关系虽然能较好满足指数关系,但求得的常数往往偏小。这是因为通过二极管电流不只是扩散电流,还有其它电流。一般它包括三个部分:
扩散电流,它严格遵循()式耗尽层合电流,它正比于;表面电流,它是由Si和SiO2界面中杂质引起的,其值正比于,一般2。
因此,为了验证()式及求出准确的常数,不宜采用硅二极管,而采用硅三极管接成共基极线路,因为此时集电极与基极短接,集电极电流中仅仅是扩散电流。复合电流主要在基极出现,测量集电极电流时,将不包括它。实验中选取性能良好的硅三极管又处于较低的正向偏置,这样表面电流影响也完全可以忽略,所以此时集电极电流与结电压将满足()式。F逐渐增大,正向压降VF将随之增大。要求VF在0.450V-0.54
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