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半导体材料 半导体材料 （1）半导体材料的发展及其意义 （2）半导体材料及其物理基础 （3）元素半导体材料 （4）化合物半导体材料 （5）微结构半导体材料 （6）非晶态半导体材料 （7）陶瓷半导体材料 （8）半导体材料的应用 ??半导体材料的发展及其意义 上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命； 上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。 超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。 纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，必将深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。 一、半导体材料及其物理基础 1、本征半导体能带结构 2、半导体的导电机理 3、半导体的分类 1、半导体的能带结构 2、半导体的导电机理 半导体价带中的电子受激发后从满价带跃到空导带中，跃迁电子可在导带中自由运动，传导电子的负电荷。同时，在满价带中留下空穴，空穴带正电荷，在价带中空穴可按电子运动相反的方向运动而传导正电荷。 因此，半导体的导电来源于电子和空穴的运动，电子和空穴都是半导体中导电的载流子。激发既可以是热激发，也可以是非热激发，通过激发，半导体中产生载流子，从而导电。 3、半导体的分类 （1）按成分分 可分为元素半导体和化合物半导体。 元素半导体又可分为本征半导体和杂质半导体。 化合物半导体又可分为合金、化合物、陶瓷和有机高分子四种半导体。 （2）按掺杂原子的价电子数分 可分为施主型(又叫电子型或n型)和受主型(又叫空穴型或P型)。 前者掺杂原子的价电子多于纯元素的价电子，后者正好相反。 （3）按晶态分 可分为结晶、微晶和非晶半导体。 此外，还有按半导体能带结构和电子跃迁状态来分类。 三、元素半导体材料 元素半导体大约有十几种处于族ⅢA-ⅦA族的金属与非金属的交界处，如Ge，Si，Se，Te等。但是其中具备实用价值的元素半导体材料只有硅、锗和硒。 硒是最早使用的， 硅和锗是当前最重要的半导体材料，尤其是硅材料由于具有许多优良持性， 绝大多数半导体器件都是用硅材料制作的。 1、硅和锗性质 硅和锗都是具有灰色金属光泽的固体，硬而脆。两者相比，锗的金属性更显著，硅在切割时易碎裂。 锗的室温本征电阻率约为50Ω·cm，而硅的约为2.3×105Ω·cm。 锗和硅都具有金刚石结构，化学键为共价键。 锗的室温电子迁移率为3800cm2/v·s，硅为1800cm2/v·s。 锗的禁带宽度为0.66ev，硅的禁带宽度为1.12ev。 1、硅和锗性质 硅和锗在常温下化学性质是稳定的．但升高温度时，很容易同氧、氯等多种物质发生化学反应，所以在自然界没有游离状态的硅和锗存在。 锗不溶于盐酸或稀硫酸，但能溶于热的浓硫酸、浓硝酸、王水及HF-HNO3混合酸中。硅不于盐酸、硫酸、硝酸及王水，易被HF-HNO3混合酸所溶解。 硅比锗易与碱起反应。硅与金属作用能生成多种硅化物。 1、硅和锗性质 杂质对锗、硅电学性质的影响与杂质能级在禁带中的位置密切相关。在锗、硅中的杂质可分为两类： 一类是ⅢA族或ⅤA族元素，它们在锗、硅中只有一个能级，且电离能小，一个杂质原子只起一个受主或施主作用，ⅢA族杂质起受主作用使材料呈p型导电，ⅤA族杂质起施主作用，使材料呈n型导电。 另一类是除ⅢA或ⅤA族以外的杂质。 2．硅和锗晶体的制备 目前锗主要用直拉法，硅除了直拉法之外还用悬浮区熔法。 直拉法又称(Czochralski)法．简称CZ法。它是生长元素和ⅢA-ⅤA族化合物半导体单晶的主要方法。该法是在盛有熔硅或锗的坩锅内，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制温度场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，晶体便在籽晶下按籽晶的方向长大。 直拉法 区熔法 由直拉法生长的单晶，由于坩锅与材料反应和电阻加热炉气氛的污染，杂质含量较大，生长高阻单晶困难。 工业上将区域提纯与晶体生长结合起来，可制取高纯单晶，这就是区熔法。 在高纯石墨舟前端放上籽晶，后面放上原料锭。建立熔区，将原料锭与籽晶一端熔合后，移动熔区，单晶便在舟内生长。 3．硅的主要用途 目前科学家们已经发现的半导体材料种类很多，并且正在不断开拓他们的应用领域，但在目前的电子工业中使用的半导体材料主要还是硅，它是制造大规模集成电路最关键的材料。 整流器 放大器和振荡器 集成电路 光学材料 四、化合物半导体材料 1、二元化合物半导体 2、多元化合物半导体 3、砷化镓 4、氮化镓 1、二元