薄膜沉积物理方法超强综述.pptVIP

薄膜制备物理方法总结 蒸发、溅射、离子镀 三类基本PVD方法！ 真空蒸发沉积 两个关键： 1，真空度：P ≤ 10-3 Pa （保证粒子具分子流特征，以直线运动） 真空室压力过高，会出现以下情况。a)粒子频繁碰撞，难以匀的薄膜； b)污染薄膜（轰击基片并吸附）； c)蒸发形成均源被氧化。 2，基片距离 (相对于蒸发源)：10~50 cm 能使用情况：蒸发时不发生化学变化。 沉积物中杂质的含量与残余气体的压强成正比，与 沉积的速度成反比。 一、电阻式蒸发装置: 电阻热 二、电子束蒸发装置： 电子束轰击 三、电弧蒸发装置： 电弧 四、激光蒸发装置： 激光 真空蒸发沉积 真空蒸发沉积 应用：是制备单质金属、氧化物、介电材料和半导体化合物薄膜最常用的蒸发方法。 缺点： 支撑材料与蒸发物之间可能会发生反应，造成污染； 一般工作温度在1500~1900 ℃，所以可蒸发材料受到限制； 蒸发率低； 加热速度不高，蒸发时待蒸发材料如为合金或化合物，则有可能 分解或蒸发速率不同，造成薄膜成分偏离蒸发物材料成分。 真空蒸发沉积