第四章半导体的导电性讲述.ppt

第4章 半导体的导电性 载流子的漂移运动和迁移率 载流子的漂移运动和迁移率 载流子的漂移运动和迁移率 载流子的漂移运动和迁移率 载流子的漂移运动和迁移率 第4章 半导体的导电性 存在破坏周期性势场的因素： 如： * 杂质 * 缺陷 * 晶格热振动 散射 载流子散射的概念（1）载流子的热运动 1）电离杂质散射：即库仑散射 散射几率Pi∝NiT-3/2（Ni为杂质浓度总和）。 2）晶格振动散射 有N个原胞的晶体 有N个格波波矢q 一个q=3支光学波(高频)+3支声学波(低频) 第4章 半导体的导电性 迁移率和杂质浓度和温度的关系 第4章 半导体的导电性 电阻率随温度的变化 杂质离化区 过渡区 高温本征激发区 电阻率随温度的变化 电阻率与杂质浓度和温度的关系 * LOGO LOGO 第4章 半导体的导电性 1、 载流子的漂移运动和迁移率 2、 载流子的散射 3、迁移率与杂质浓度和温度的关系 4、 电阻率与杂质浓度和温度的关系 1、欧姆定律 漂移运动： 载流子在外电场E的作用下的定向运动，即漂移运动。 同理，对p型半导体 迁移率的意义：表征了在单位电场下载流子的平均漂移速度。 它是表示半导体电迁移能力的重要参数。 思考：对于n型半导体，Vd应该跟什么有关？ 半导体的电导率和迁移率 结论： 在严格周期性势场（理想）中运动的 载流子在电场力的作用下将获得加速 度，其漂移速度应越来越大。 1、 载流子的漂移运动和迁移率 2、 载流子的散射 3、迁移率与杂质浓度和温度的关系 4、 电阻率与杂质浓度和温度的关系 实际中， 载 流 子 的 散 射 平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程。 自由程l：相邻两次散射之间自由运动的路程。 载 流 子 的 散 射 在外电场作用下，实际上，载流子的运动是： 热运动+漂移运动 电流 I 单位时间内一个载流子被散射的次数 散射几率 P 半导体的主要散射机构 载 流 子 的 散 射 格波的能量效应以hνa为单元 声子 特点：各向同性。 a、声学波散射： Ps∝T3/2 b、光学波散射：P o∝[exphv/k0T）]-1 振动方式: 3个光学波=1个纵波+2个横波 3个声学波=1个纵波+2个横波 载 流 子 的 散 射 （1）等同能谷间散射 谷间散射：电子在等同能故中从一个极值附近散射到另一个 极值附近的散射。 （2）中性杂质散射——在低温下重掺杂半导体中发生. （3）位错散射——位错密度104cm-2时发生具有各向异性的特点. （4）载流子与载流子间的散射——在强简并下发生 3）其它散射机构 载 流 子 的 散 射 载 流 子 的 散 射 1、 载流子的漂移运动和迁移率 2、 载流子的散射 3、迁移率与杂质浓度和温度的关系 4、 电阻率与杂质浓度和温度的关系 平均自由时间和散射概率的关系 平均自由时间和散射概率的关系 迁移率和杂质浓度和温度的关系 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 迁移率和杂质浓度和温度的关系 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 迁移率和杂质浓度和温度的关系 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 迁移率和杂质浓度和温度的关系 迁移率和杂质浓度和温度的关系 迁移率和杂质浓度和温度的关系 迁移率和杂质浓度和温度的关系 迁移率和杂质浓度和温度的关系 迁移率和杂质浓度和温度的关系 1、 载流子的漂移运动和迁移率 2、 载流子的散射 3、迁移率与杂质浓度和温度的关系 4、 电阻率与杂质浓度和温度的关系 电阻率与杂质浓度和温度的关系 电阻率与杂质浓度和温度的关系 电阻率与杂质浓度和温度的关系 * LOGO