三极管的应用精选.pptVIP

第2章 半导体三极管及其应用 半导体三极管及其应用 第 2 章 2.1　晶体管的结构、特性和参数 2.1.1 晶体管的结构与电流放大作用 2.1.2 晶体管的伏安特性曲线 2.1.3 晶体管的主要参数 2.1.3 晶体管的使用常识 教学目标 了解 晶体管的结构 理解晶体管特性及主要参数 掌握晶体管的管脚识别方法 E B C E B C E B C B E C 晶体管外形 (Semiconductor Transistor) 2.1.1 晶体管结构与电流放大 一、结构、类型 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B E C B 二、电流放大原理 1. 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 IE = IC + IB 3. 电流放大作用 例1：在某放大电路中，测量三极管各管脚电流如图所示，判别各管脚名称，NPN型还是PNP型，求 的大小？ 解：放大状态 IE=IB+IC 所以：① 脚是基极 ② 脚是集电极 ③ 脚是发射极 且为PNP管。 =（6.1-0.1）/0.1=60 例2：用万用表测得处在放大状态的晶体三极管三个电极的对地电位是U1=3V，U2=12V，U3=3.7V试据此判断晶体三极管的管脚、材料与类型。 根据发射结在放大时是正向压降， U1、U3两极电压差为0.7 V，可判断此为硅管; 12V电压的管脚为集电极; 集电极电位VC是最大值，故为NPN型; 由NPN管放大时要求VC〉VB〉VE知，第1脚是发射极，第3脚是基极 2.1.2 晶体管的伏安特性曲线 一、输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 RC VCC iB IE RB + uBE ? + uCE ? VBB C E B iC + ? + ? + ? iB RB + uBE ? VBB + ? O 特性基本重合 特性右移 导通电压 UBE(on) 硅管： (0.6 ? 0.8) V 锗管： (0.2 ? 0.3) V 取 0.7 V 取 0.2 V VBB + ? RB 二、输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即 (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即： (3) 截止区：发射结反偏或零偏， 临界饱和时： uCE = uBE 饱和时： uCE uBE UCE(sat)= 0.1 V (锗管) 0.3 V (硅管) 例3： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当USB =-2V时： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流： Q位于截止区 例3： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V时： USB =5V时: 例3： ?=50， USC =1