3-正弦波振荡器..ppt

例如： 2．提高振荡回路标准性 (1)标准性（振荡回路在外界因素变化时保持固有谐振频率不变的能力） 标准性越高，??0 就越小。 (2)??0 与 ?L、?C 的关系 将此式展开，忽略高阶小量，化简为 (3)分析 为提高回路标准性，必须减小 L、C 的相对变化量。 措施： 　① 温度补偿。电感和部分寄生参量有正值的温度系数，选用有负温度系数的陶瓷电容器，且数值合适，正负可补偿。 ② 缩短引线，采用贴片元器件，减小分布参数。 　③ 使用稳定度高的外接集总电容、电感，减小不稳定的寄生量及其在 L、C 中的比重。 (4)讨论 fosc= (LC)-1/2稳定，C↑→L↓ → Q0↓ → Qe ↓ →频稳度↓ 　所以，增加总电容是有限度的。因此一般都串联电容，减小管子与回路间耦合的方法。例如：clapp 电路 3.3.2　克拉泼振荡电路 (b) 1．特点 　为电容三点式振荡器的改进型电路，其差别：与 C1、C2 串联的电容 C3。且C3 取值较小。满足 C3 C1，C3 C2，回路总电容取决于 C3。 2．原理 　回路总电容取决于 C3，减小了极间电容 Cce、Cbe、Ccb(并联在 C1、C2 上)对频率的影响。 C3 越小，影响越小，回路标准性越高。 比电容三点式高一个数量级。 4．讨论 　接入 C3 后，虽反馈系数不变(上节例 2)，但接在 A、B 两端的电阻 　　　　　　　折算到集电极间的数值 减小， C1、2 是 C1、C2 极间电容的总和，因而环路增益减小。C3 越小，环路增益越小。可见，在这种振荡电路中，减小 C3 提高标准性是以牺牲环路增益为代价的。C3 过小，就不会满足振幅起振条件，而停振。 3.4.1　石英谐振器的电特性 3.4.2　晶体振荡电路 3.4　晶体振荡器 频稳度 晶体振荡器：超过 10 -5 LC 振荡器：10 -3 ~ 10 -5 晶体振荡器：采用石英谐振器控制和稳定振荡频率的振荡器。 3.4.1　石英谐振器的电特性 1．石英晶体的性能与等效电路 (1)结构 　利用石英晶体(Quartz-Crystal)的压电效应制成的一种谐振器件。 (a)　　　　　　　(b)　　　　　　　(c) 图 3-4-1　石英谐振器的内部结构 (2)性能 　① 晶片有一固有振动频率，与切割方位、形状、大小有关，且十分稳定。 　将其接到振荡器的闭合环路中，利用其固有频率，能有效地控制和稳定振荡频率。 ② 压电效应：机械与电的相互转换效应。 正压电效应：外加力，产生电荷现象 逆压电效应：外加电压，产生机械振动现象。 　③ 振动特性：具有多谐性，除基频(Fundamental Frequency)振动外还有奇次谐波的泛音(Overtones)振动。 (3)等效电路 C0：静态电容和支架引线分布电容之和； Lq1、Cq1、rq1：晶体基频等效电路； Lq3、Cq3、rq3：晶体三次泛音等效电路 ? ? ? (Lq 很大、Qq 很大、Cq 很小且数值极其稳定) 2．电抗特性 可证：忽略 rq 时，晶体两端呈现纯电抗，其值近似为 　当外加交变电压与石英晶片的机械振动发生共振时，石英晶片两极上的交变电荷量即通过的交变电流量最大，因而具有串联谐振特性。 图 3-4-3　晶体的阻抗曲线 讨论： ① 在 ?s ~ ?p 之间为正值，呈感性；其他频段内为负值，呈容性。 　② 在 ?s 上 Xcr = 0 ，为串联谐振；在 ?p 上 Xcr ? ?，为并联谐振。 又 应用 则 或 　因为 C0 Cq，所以?p很靠近?s ，例如5MHz 的晶振体 fp – fs ? 6.5 kHz 小结： 晶振体两个谐振频率：fs、fp ；且 fs fp ① 工作于 fs ~ fp 之间为高 Q 电感，并联谐振。 ② 工作于 fs 附近为串联谐振，对 fs，相当于短路。 晶振体只能工作于上述两种方式，否则频稳度下降。 3.4.2　晶体振荡电路 一、并联型晶体振荡电路 1．电路[皮尔斯(Pirece)晶体振荡电路] (a)实际电路　　　　　　　　　(b)交流通路 RB1、RB2 和 RE ： 分压偏置电路 LC：高频扼流圈 CB： 旁路电容 CC：耦合电容 2．原理 由等效电路，它与 Clapp 电路十分相似(Cq 类似于C3 )。 3．频率准确度微调 　实际频率与标称频率往往有偏差，若要求准确度高，必须设频率微调。 4．提高频稳度的措施 图 3-4-6　采用微调电容的晶体振荡电路 (1)恒温槽 　将晶体或振荡器置于恒温槽内，槽内温度控制在晶体拐点温度(在该温度范围内，晶振温度系数为 0)附近。频稳度可达 10-10 数量级。 (2)变容管的温度补偿电路 ① 电路 T1 —— Pirece