451480CMOS工艺流程与MOS电路版图举例4..pptVIP

该图的说明 a 沟道长度 3λ b GS/GD覆盖λ c p+，n+最小宽度3λ d p+，n+最小间距3λ e p阱与n+区间距2λ f 孔距扩散区最小间距 2λ g Al覆盖孔λ 孔 2λ× 3λ或 3λ× 3λ h Al栅跨越p+环λ i Al最小宽度4λ j Al最小间距3λ 2) 铝栅、硅栅MOS器件的版图 Source/Drain: Photomask (dark field) Gate: Photomask (dark field) Contacts: Photomask (dark field) Metal Interconnects: Photomask (light field) 硅栅硅栅MOS器件工艺的流程Process (1)刻有源区 Process (2)刻多晶硅与自对准掺杂 Process (3)刻接触孔、反刻铝 制备耗尽型MOS管 在MOS集成电路中，有些设计需要采用耗尽型MOS管，这样在MOS工艺过程中必须加一块光刻掩膜版，其目的是使非耗尽型MOS管部分的光刻胶不易被刻蚀，然后通过离子注入和退火、再分布工艺，改变耗尽型MOS管区有源区的表面浓度，使MOS管不需要栅电压就可以开启工作。 然后采