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信息科学与工程学院 预定时间 实验时间 姓名 授课教师 专业班级
实验结果:
当R0=200K;R1=100K。
输出电压约为输入电压的1/2,误差范围内满足理论波形,
当R0 = 200K; R1 = 200K。
积分环节
模拟电路图:
当R0=200K;C=1uF。
实验结果:
当R0 = 200K; C = 2uF。
比例积分环节 (PI)
模拟电路图:
取 R0 = R1 = 200K; C = 1uF。
实验结果
取 R0=R1=200K; C=2uF。
惯性环节 (T)
取 R0=R1=200K; C=1uF。
取 R0=R1=200K; C=2uF。
比例微分环节 (PD)
模拟电路图:
取 R0 = R2 = 100K, R3 = 10K, C = 1uF; R1 = 100K。
取 R0=R2=100K, R3=10K, C=1uF; R1=200K。
比例积分微分环节 (PID)
模拟电路图:
取 R2 = R3 = 10K, R0 = 100K, C1 = C2 = 1uF; R1 = 100K。
取 R2 = R3 = 10K, R0 = 100K, C1 = C2 = 1uF; R1 = 200K。
实验步骤
按 1.1.3 节中所列举的比例环节的模拟电路图将线接好。 检查无误后开启设备电源。
2. 将信号源单元的“ST” 端插针与“S” 端插针用“短路块” 短接。由于每个运放单元均
设臵了锁零场效应管, 所以运放具有锁零功能。 将开关设在“方波”档,分别调节调幅和调频
电位器,使得“OUT”端输出的方波幅值为 1V,周期为 10s 左右。
3. 将 2 中的方波信号加至环节的输入端 Ui,用示波器的“CH1” 和“CH2” 表笔分别监测
模拟电路的输入 Ui 端和输出 U0 端,观测输出端的实际响应曲线 U0(t), 记录实验波形及结果。
4. 改变几组参数,重新观测结果。
5. 用同样的方法分别搭接积分环节、比例积分环节、比例微分环节、 惯性环节和比例积分
微分环节的模拟电路图。 观测这些环节对阶跃信号的实际响应曲线, 分别记录实验波形及结果。
实验二 1.2 典型系统的时域响应和稳定性分析
实验目的实验设备
实验步骤实验现象分析
可知道该系统的自然频率和阻尼比均与R值大小有关,当R处于160左右处于临界阻尼状态,则R160时阻尼比增大,系统则应处于过阻尼状态,输出波形如上图所示。
同理当R的阻值减小时,系统应该趋于欠阻尼状态;如R=50时,系统处于欠阻尼状态,其输出波形如下图所示:
欠阻尼
欠阻尼状态,是我们所期望的一种状态,相比于过阻尼,系统响应时间比较短,相比于临界阻尼,系统的超调量比较小。工程上,也是希望系统能够快速平稳准确的追踪输入信号,因此欠阻尼相对比较理想。
三阶系统
三阶系统处于临界稳定时
三阶R30K
R30K
实验三 2.1 线性系统的根轨迹分析
实验目的
实验设备
模拟电路构成: 如图 2.1-2 所示。
系统的开环增益为 K= 500KΩ/R,开环传递函数为:
绘制根轨迹
由开环传递函数分母多项式 S(S+1)(0.5S+1)中最高阶次 n= 3,故根轨迹分支数为 3。开环有三个极点: p1= 0, p2=- 1, p3=- 2。
实轴上的根轨迹:
① 起始于 0、 - 1、 - 2,其中- 2 终止于无穷远处。
②起始于 0 和- 1 的两条根轨迹在实轴上相遇后分离,分离点为
显然 S2 不在根轨迹上,所以 S1 为系统的分离点,将 S1=- 0.422 代入特征方程S(S+1)(0.5S+1)+ K 中,得 K= 0.193
根轨迹与虚轴的交点
将 S = j W 代入特征方程可得:
根据以上计算,将这些数值标注在 S 平面上,并连成光滑的粗实线,如下图所示。图上的粗实线就称为该系统的根轨迹。其箭头表示随着 K 值的增加,根轨迹的变化趋势,而标注的数值则代表与特征根位臵相应的开环增益 K 的数值。
根据根轨迹图分析系统的稳定性
根据图 2.1 -3 所示根轨迹图,当开环增益 K 由零变化到无穷大时,可以获得系统的下述性能: R= 500/K
当 K= 3; 即 R= 166 KΩ 时,闭环极点有一对在虚轴上的根,系统等幅振荡,临界稳定。
当 K 3; 即 R 166 KΩ 时,两条根轨迹进入 S 右半平面,系统不稳定。
当 0 K 3; 即 R 166 KΩ 时,两条根轨迹进入 S 左半平面,系统稳定。
上述分析表明,根轨迹与系统性能之间有密切的联系。利用根轨迹不仅能够分析闭环系统的动态性
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