失效机制.ppt

1. 干法腐蚀 在潮湿环境中，暴露于离子污染物的铝金属系统会被腐蚀。只需要微量的水就可以进行这种所谓的干法腐蚀。 影响：水本身不会腐蚀铝，但许多溶于水的离子物质可形成腐蚀性溶液。 防护措施：减小保护层开口数目，金属与焊盘开孔在有足量交叠。防止湿气渗透 碱金属即使在室温下仍然可以在二氧化硅中自由移动，其中，钠离子是最常见的一种。 影响：可动离子玷污会引起参数漂移，最明显的是MOS 晶体管的阀值电压。如被钠离子玷污的NMOS 晶体管的栅氧化层。 表面效应包括：热载流子注入、齐纳蠕变、雪崩诱发β 衰减、负偏置温度不稳定性和寄生沟道和电荷分散。 1、 热载流子注入 如果在硅表面附近有强电场，那么部分由强场产生的热载流子据具有足够的能量进入氧化层，这种机制称为热载流子注入。 影响： 它可引起MOS 晶体管的严重看靠性问题。 防护措施：重新设计受影响器件、选择器件的工作条件、改变器件的尺寸减小阀值电压漂移。 任何位于硅表面之上的导体都可能诱生寄生沟道。当有了合适的源区和漏区时，即使没有导体作为栅极，沟道也能形成。这种沟道形成的潜在机制称为电荷分散。 影响：引起模拟电路的参数漂移 防护措施：通过在所有隔离区内设置基区抑制NMOS 沟道的形成；CMOS 工艺使用沟道终止来提高厚场阈值；设置场板可提供防止寄生沟道形成和电荷分散效应的全面保护。 使用衬底保护环防止NMOS沟道形成 包括衬底去偏置、少子注入和衬底效应。 当寄生电流在衬底上流过时，会由于衬底电阻形成电压降，而发生衬底去偏置。当压降足够大时，会使隔离PN正偏，正偏结从而向衬底注入电流，发生参数漂移，甚至可能引起闩锁 失效机制 表现 修正措施 静电放电ESD 栅氧立即或延迟击穿，结短路或发生泄漏 增加ESD保护器件，不要在薄的发射区氧化层上布线 电迁移 长期工作后（通常是在高温下）开路或短路 使用掺铜铝线，使用难溶技术，采用适当宽度的连线或焊丝 介质击穿 施加电压后，立即或延迟发生介质击穿 包括OVST检测，包括吸收结构，避免在N+顶部生长氧化层 天线效应 连接大导体的小栅氧失效 减小直接相连导体面积，增加二极管 干法刻蚀 电路开路失效，湿气加速失效 使用保护层，减少焊盘开孔 可动离子 高温偏压下的阈值漂移，零偏烘烤后释放 使用保护层，减少焊盘开孔，增加划片槽 失效机制 表现 修正措施 热载流子注入 高温偏压下的阈值漂移 限制漏源电压，使用LDD结构，使用长沟道器件 齐纳蠕变 击穿电压漂移，NPN发射结易发生 使用埋层齐纳管 雪崩引起的β下降 发射结反偏后，双极型晶体管β下降 避免大的发射结反偏电压 负偏置温度不稳定性 工作时PMOS阈值电压发生漂移 避免潮湿氧化物，相同的漏源电压下偏置匹配的PMOS晶体管 衬底去偏置 在特定偏置条件下发生闩锁 增加衬底接触，在注入源附近设置接触 少子注入衬底 在特定偏置条件下，发生闩锁和参数漂移 使用P+衬底，增加衬底接触，分离敏感电路，在共用阱中增加NBL，在隔离区使用深P+区，增加保护环 衬底效应 介质隔离期间中的参数漂移 增加到衬底的可检验的连接，使用银浆粘结芯片 电过应力（EOS）是指由对器件施加过大电压或电流而引起的失效。 版图预防措施可以减小4 种常见类型EOS 失效发生的可能性：静电泄放（ESD）、电迁徙、介质击穿及天线效应。 什么是静电 静电将导致栅击穿 对ESD敏感的芯片存储于静电屏蔽包装中，烙铁、静电鞋和腕带接地，加湿器可减小静电积累 静电泄放是由静电引起的一种电过应力形式。通过特殊的测试可测出集成电路对ESD的敏感度。常见的3 种测试结构称为人体模型、机器模型和充电器件模型。 因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同，经过统计，ESD放电模型分下列四类: (1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM) (2) 机器放电模式 (Machine Model, MM) (3) 组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM) (4) 电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM) 另外还有两个测试模型： (5)对于系统级产品测试的IEC电子枪空气放电模式 (6)对于研究设计用的TLP模型 人体放电模式(HBM)的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其它因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到IC时，人体上的静电便会经由IC的脚(pin)而进入IC内，再经由IC放电到地。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时 间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把IC内的组件 给烧毁。 对一般商用IC的2-KV ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33 安培。 机器放电模式的ESD是指机器(例如机械手臂)本身累积了静