《光刻技术简介.pptVIP

* Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。 利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术，在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。多用于半导体器件与集成电路的制作。 光刻： 原理： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 光刻胶：也称为光致抗蚀剂，它是由感光树脂、增感剂和溶剂三部分组成的对光敏感的混合液体。 光刻胶主要用来将光刻掩模板上的图形转移到元件上。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 根据光刻胶的化学反应机理和显影原理，可将其分为正性胶和负性胶。 负胶在光刻工艺上应用最早，其工艺成本低，产量高，但由于它吸收显影液后会膨胀，导致其分辨率不如正胶，因此对于亚微米甚至更小尺寸加工技术，主要使用正胶作为光刻胶。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1 底膜处理 2 涂胶 3 前烘 4 曝光 5 显影 6 坚模 7 刻蚀 8 去胶 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 底膜处理是光刻工艺的第一步，其主要目的是对底膜表面进行处理，以增强其与光刻胶之间的粘附性。 步骤： 1 清洗 2 烘干 3 增粘处理 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 增粘层 光刻胶膜 底膜 涂胶 进行底模处理后，便可进行涂胶，即在底模上涂一层粘附良好厚度适当，均匀的光刻胶。一般采用旋转法进行涂胶，其原理是利用底模转动时产生的离心力，将滴于模上的胶液甩开。在光刻胶表面张力和旋转离心力的共同作用下，最终形成光刻胶膜。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 前烘，又称软烘，就是在一定的温度下，使光刻胶膜里面的溶剂缓慢的、充分的逸出来，使光刻胶膜干燥。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 掩模板 光刻胶膜 增粘层 底膜 曝光 光源 曝光就是对涂有光刻胶的基片进行选择性的光化学反应，使接受到光照的光刻胶的光学特性发生改变。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 光源的波长对光刻胶的感光性有很大影响，每种光刻胶都有自己的吸收峰和吸收范围，它只对波长在吸收范围内的光才比较敏感，因此选择的曝光光源必须要满足光刻胶的感光特性。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.