2012chap14半导体器件程序.ppt

* 首先看发射结正偏时，三极管的状态。很明显，发射结导通，多子扩散运动为主导。 请思考，集电结此时会做出何种反应？ 由于集电结反偏，PN结内建电场和外部电场对扩散到基区的自由电子产生强大的引力，将自由电子收入集电区，形成漂移电流。此时，由于发射区可提供大量的自由电子，因此，漂移电流很大，甚至比基区多子复合产生的电流打得多。从外部的集电极和基极看，流经集电极的电流貌似是把基极电流放大了。但是实质上，自由电子是由电源提供的，能量来自电源，三极管只是起到了电流分配，或者说是电流控制的作用。但我们习惯上仍称为电流放大。 * 大家注意，我们在分析三极管内部载流子运动时，只分析了其矛盾的主要方面，而忽略了矛盾的次要方面。对于 发射结，忽略了漂移电流。对于集电结，忽略了扩散运动。原因在于，矛盾的次要方面影响甚小，不予深究。 但是大家要明确概念，培养严谨的科学态度。 * 既然是两个相邻很近的PN结可以构成三极管，那么无非两种方式。要么在P区旁边制造PN结，要么在N区旁边制作PN结。 * 因此，三极管有两种基本类型。中间是P型半导体的成为NPN型三极管 中间是N型半导体的成为PNP型三极管。 看到这样的结构后，大家会不会有这样的想法？原来，诺贝尔物理奖获得者只是在PN结的基础上前进了一小步。 可见，创新并不是高不可攀，关键是要培养善于创新的思维。 接下来，我们学习三极管基本结构。原来，我们也可以离诺贝尔奖如此之近。 * 由于NPN与PNP有着相似的结构和原理，我们以NPN型为例进行讲述。 首先看三极管的三个区。左边的区域，自由电子掺杂浓度高，向其余两个区摄入电子，称为发射区。 中间的区域，掺杂浓度较低，很薄，称为基区。右边的区域，面积大，但是掺杂浓度比发射区低，用于收集自由电子，称为集电区。 接下来看三极管的两个结。位于发射区和基区之间的PN结，以发射区命名，称为发射结。位于基区和集电区之间的PN结以集电区命名，称为集电结。 最后，看三极管的三个极。从发射区引出的电极称为发射极，从基区引出的电极称为基极，从集电区引出的电极称为集电极。由于电极所在的区域特点不同，因此，三极管的各极不可互替。 * 接下来，我们共同学习三极管电流放大原理。 首先，我们必须给三极管的两个PN结提供正确偏置。发射极正偏，集电结反偏。对于基极来讲，集电极的电位高于发射极电位，因此，对于集电结是反偏的。此时，PN结内建电场的变化，可以从图中看到。 * 首先看发射结正偏时，三极管的状态。很明显，发射结导通，多子扩散运动为主导。 请思考，集电结此时会做出何种反应？ 由于集电结反偏，PN结内建电场和外部电场对扩散到基区的自由电子产生强大的引力，将自由电子收入集电区，形成漂移电流。此时，由于发射区可提供大量的自由电子，因此，漂移电流很大，甚至比基区多子复合产生的电流打得多。从外部的集电极和基极看，流经集电极的电流貌似是把基极电流放大了。但是实质上，自由电子是由电源提供的，能量来自电源，三极管只是起到了电流分配，或者说是电流控制的作用。但我们习惯上仍称为电流放大。 * 首先看发射结正偏时，三极管的状态。很明显，发射结导通，多子扩散运动为主导。 请思考，集电结此时会做出何种反应？ 由于集电结反偏，PN结内建电场和外部电场对扩散到基区的自由电子产生强大的引力，将自由电子收入集电区，形成漂移电流。此时，由于发射区可提供大量的自由电子，因此，漂移电流很大，甚至比基区多子复合产生的电流打得多。从外部的集电极和基极看，流经集电极的电流貌似是把基极电流放大了。但是实质上，自由电子是由电源提供的，能量来自电源，三极管只是起到了电流分配，或者说是电流控制的作用。但我们习惯上仍称为电流放大。 * 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 * 14.5.4 主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? * 已知UCE=6V时：IB=40?A, IC=1.5mA 求?和? 。IB=60 ?A, IC=2.3mA 在以后的计算中，一般作近似处理：?= 例题——22页： ￣ 解： IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A