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- 2016-12-26 发布于江苏
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曲线模型—伏安特性曲线 V(BR) I (mA) V(V) VD(on) -IS 当V VD(on)时 二极管导通 当V VD(on)时 二极管截止 当反向电压V ? V (BR)时 二极管击穿 晶体二极管的伏安特性曲线,通常由实测得到。 简化电路模型 折线等效:在主要利用二极管单向导电性的电路中, 实际二极管的伏安特性。 I V VD(on) I V 0 a b I V VD(on) a b VD(on) RD D + - 理想状态:与外电路相比,VD(on)和RD均可忽略时, 二极管的伏安特性和电路符号。 开关状态:与外电路相比,RD可忽略时的伏安特性。 简化电路模型:折线等效时,二极管的简化电路模型。 小信号电路模型 :为二极管增量结电阻。 (室温) :PN结串联电阻,数值很小。 Cj:PN结结电容,由CD和CT两部分构成。 注意:高频电路中,需考虑Cj影响。因高频工作时, Cj容抗很小,PN结单向导电性会因Cj的交流旁 路作用而变差。 I V Q rs rj Cj 图解法 分析二极管电路主要采用:图解法、简化分析法、小信号等效电路法。(重点掌握简化分析法) 写出管外电路直流负载线方程。 1.3.2 晶体二极管电路分析方法 利用二极管曲线模型和管外电路所确定的负载线,通过作图的方法进行求解。
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