《纳米结构与材料教学课件》纳米半导体材料.pptVIP

单电子晶体管的电导随栅压振荡 基于库仑阻塞效应可制造多种量子器件，如单电子器件和量子点旋转门等 单电子器件不仅在超大规模集成电路上有重要应用前景，而且还可用于研制超快、超高灵敏静电计，可用于检测小于万分之一电子电荷的电量 库仑阻塞效应 * 量子干涉效应 利用量子干涉效应可制造多种量子器件，如量子干涉晶体管，具有高速和高增益的优越性能 量子干涉效应 如果样品的特征尺寸等于或小于相位相干长度，也就是小于电子非弹性散射平均自由程，那么电子通过样品时只发生弹性散射，储存在电子波函数里面的信息不会被破坏，而只是发生一定的相移 * 二维电子气 局限在三角势阱中的电子，在平行于界面的平面内的运动是自由的，而在垂直于界面方向的运动因受到约束而形成一系列分立的能级 基于二维电子气结构的材料具有高迁移率特性，已经研制出多种新型超高速、超高频微电子器件和电路 AlGaAs/GaAs二维电子气导带结构图 量子霍尔效应 随MOS器件栅压改变的霍尔电阻按h/ne2 量子化，出现霍尔电阻平台 二维电子气和量子霍尔效应 * 3.纳米半导体材料的制备技术 * 分子束外延技术（MBE） 在超高真空条件下，对分子或原子束源和衬底温度加以精密控制的薄膜蒸发技术 MBE技术 * 分子束外延技术（MBE） 常用配置 反射高能电子衍射仪（RHEED）：提供表面再构、显微结构信息和实现单原子层控制生长等 四极质谱仪（QMS）：