半导体—金属接触特性测试技术精选.pptxVIP

半导体—金属接触特性测试技术杜卓同（1）功函数（2）半导体亲和势（能）（3）欧姆接触与肖特基接触（4）肖特基接触势垒功函数(work function)又称逸出功，在固体物理中被定义成：把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。半导体功函数：真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差。单位：eV/电子伏特（1）功函数能量关系可表示： 原子的反冲能量紫外光电子能谱（UPS）基本原理就是光电效应：紫外光? 外层价电子?自由光电子 （ 激发态分子离子）电子结合能电子动能紫外光电子能谱（UPS）紫外光电子能谱（UPS）开尔文探针法（Kelvin probe force microscopy-KPFM）探针的参考电极( 功函数已知) 与样品组成振动式平板电容C， 由于两电极的功函数不同而产生的接触电势差等效为：当探针相对样品振动时，电容C的改变就会产生位移电流：对样品外加一补偿电压使位移电流为零，此时的补偿电压值就是样品与探针的功函数之差。Fig.2 Electronic energy levels of the sample and AFM tip for three cases: (a) tip and sample are separated by distance d with no electrical contact, (b) tip and sample ar