现代分析20108(AES)教程.pptVIP

第八章 表面探针分析 §8-1 俄歇电子能谱原理及应用 俄歇电子——是用会聚电子束与固体样品表面作用所产生的二次电子，反映元素的能量特征，并从样品的浅表面逸出，逸出过程中没有能量损耗。 AES——通过检测俄歇电子的特征能量来进行材料表面成分分析的方法。 二、AES基本原理 在X射线或高能电子照射下，原子的内层电子可能获得足够的能量而电离，使原子处于不稳定的激发态，较外层电子向内层空位跃迁，原子多余的能量可能通过两种方式释放：①发射X射线；②发射第三个电子——俄歇电子。该过程称为俄歇效应。 俄歇效应（电子）的表示： KL1L1 KL1L2，3 LM1M1 KVV 俄歇电子的动能与入射粒子的类型和能量无关，只是发射原子的特征，可由俄歇跃迁前后原子系统的能量差来计算。 经验公式： 例：计算Ni的KL1L2俄歇电子能量 原子所处的化学环境的变化会改变其电子轨道，影响到原子势及内层电子的束缚能，从而改变俄歇跃迁的能量，引起俄歇谱峰的位移——称为化学位移。 例如，当元素形成化合物时将改变元素的俄歇电子能量。 化学位移可达几个eV。 产额相当于俄歇跃迁的几率，与俄歇谱峰的强度相对应，是元素定量分析的依据。 在低原子序数元素中，俄歇过程占主导，而且变化不大。 对于高原子序数元素，X射线发射则成为优先过程。 →俄歇电子与特征X射线两种信号具有互补性，AES适