S3C2410NandFlashK9F1208U0A读取操作.doc

S3C2410 NandFlash K9F1208U0A/ K9F1208U0B的读取操作作者：蔡于清我的板子上使用的是SAMSUNG的K9F1208U0B，下面我将对此型号的NandFlash读取操作做一个讲解。首先我们先从物理结构上来了解这颗芯片，结构图如下所示 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又被分为若干扇区，一块Nand Flash被分为若干Block,每个Block又被分为若干Page。由上图我们可以知道flash中Byte(字节)，Page(页),Block（块）3个单位之间的关系为 :1 Page =512 Bytes Data Field+ 16 Bytes Spare Field 1 Blcok=32 Pages NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page，(Nand Flash 有多种结构，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Byte，每32 个page 形成一个Block， Sizeof(block)=16kByte 1 block = 16kbyte，512Mbit=64Mbyte，Number of (block)=4096 1block=32page, 1 page = 528byte = 512byte(Main Area) + 16byte(Spare Area) Nand flash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： --Block Address -- Page Address??--Column Address 对于NAND Flash 来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8 位。 而512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half和2nd half，各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address。 32 个page 需要5bit 来表示，占用A[13:9]，即该page 在块内的相对地址Page Address。 Block的地址是由A14 以上的bit 来表示，例如512Mb 的NAND，共4096block，因此，需要12 个bit 来表示，即A[25:14]，就是Block Address。如果是1Gbit 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:24]表示。 而page address就是blcok address|page address in block, NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。 由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。 例如，对于512Mbit x8 的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。以NAND_ADDR 为例： 第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpage pointer 即bit8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读写。而真正的bit8 的值是不需要考虑的。 第2 步就是将NAND_ADDR 右移9 位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上。 第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O 上。 第4 步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O 上。 因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是256Mbit 以下，那么，block adress 最高位只到bit24，因此寻址 只需要3 步。 下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。 由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓 的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，b